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정부, 부동산 편법증여·담합유도 등 900여건 적발...일부 형사입건

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Tuesday, April 21, 2020, 17:04:32

국토부·금융위·검찰청 등 관계기관 합동조사

인더뉴스 이재형 기자ㅣ국토부와 국세청, 검찰청 등 관계기관이 부동산 시장의 불법행위를 합동 조사한 결과를 공개했습니다. 편법증여, 집값담합 유도 등 사례가 적발돼 형사입건 됐습니다.

 

21일 국토교통부는 ‘투기과열지구의 실거래에 대한 3차 관계기관 합동조사’ 결과와 ‘집값담합 관련 수사 중간결과’를 발표했습니다.

 

 

투기과열지구 실거래 조사는 국토교통부와 행정안전부, 금융위원회, 국세청, 서울특별시, 금융감독원, 한국감정원이 ‘관계기관 합동조사팀’(이하 ‘조사팀’)을 결성해 진행 중인 합동조사입니다.

 

합동조사는 지난 1월까지 1·2차 조사를 진행했으며, 이날 발표한 3차 조사는 1~4월 진행된 것입니다. 작년 11월까지 신고 된 1만6652건 거래 중 이상거래 1694건을 추출, 1608건을 조사했습니다. 조사지역은 투기과열지구 31개 지자체 전체입니다.

 

조사 결과 친족 등 편법증여 의심 건, 법인자금을 유용한 탈세의심 건 등 총 835건을 적발, 국세청에 통보하기로 했습니다.

 

이외에도 다른 용도의 대출을 받아 주택을 구입하는 등 대출규정 위반 의심으로 75건, ‘명의신탁약정’ 등 의심으로 2건, 계약일 허위신고 등 ‘부동산 거래신고 등에 관한 법률’ 위반은 11건이 집계됐습니다.

 

조사팀은 이번 3차 조사에서 확인된 의심 사례를 국세청·금융위·행안부․경찰청 등 관계기관에 통보·점검할 방침입니다.

 

 

한편 집값 담합 수사는 지난 2월 21일 출범한 ‘부동산시장불법행위대응반’(이하 ‘대응반’)이 진행했습니다. 국토교통부 특별사법경찰과 금융위원회·검찰청·경찰청·국세청·금융감독원·한국감정원 등으로 구성된 부서입니다.

 

대응반은 2월21일~3월11일 한국감정원 ‘부동산거래질서교란행위신고센터’에 접수된 집값담합 의심 건 총 364건 중 166건에 대해 내사를 진행했습니다. 그 결과 범죄혐의가 확인된 11건을 적발해 형사입건했습니다.

 

이번에 적발된 집값담합 사례는 ▲집값담합을 유도하는 안내문·현수막 게시 ▲온라인 카페 등에 담합 유도 글 게재 ▲개업공인중개사가 단체를 구성하고 단체 밖 중개사에 대한 공동중개를 제한하는 행위 등입니다.

 

형사입건한 11건은 앞으로 혐의사실을 입증해 기소의견으로 검찰에 송치할 예정입니다. 현재 8건에 대해 압수수색영장을 발부 받았고 2건은 발부 절차가 진행 중입니다.

 

김영한 국토교통부 토지정책관은 “대응반이 출범하면서 금융위, 검찰청, 국세청 등 주요 조사기관도 함께 조사하면서 부동산 불법·이상거래 적발 능력이 높아졌다”며 “앞으로도 대응반을 중심으로 강도 높은 부동산 관련 범죄행위 수사와 실거래 조사를 실시할 계획”이라고 밝혔습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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