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“국내 IT株, 미국 화웨이 제재 영향 제한적”-KB

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Tuesday, May 19, 2020, 08:05:18

인더뉴스 김현우 기자ㅣ KB증권은 19일 미국의 화웨이 제재가 국내 IT업체들에 미치는 영향은 제한적일 것이라는 의견을 내놨다.

 

김동원 KB증권 연구원은 “이번 미국 상무부의 제재가 장기화된다고 가정하면 부품 공급 차질에 따른 화웨이의 스마트폰 사업 위축이 예상된다”며 “지난해 5월 미 상무부의 화웨이향 수출 제재 이후 화웨이는 중국 내수 점유율 확대를 통해 실적을 방어했으나 서유럽이나 남미 지역 점유율은 하락했다”고 설명했다.

 

이어 “반면 동일기간 삼성전자 스마트폰 출하량은 지속적으로 증가해 이번 수출 제재에도 일부 반사 수혜가 예상된다”며 “또한 화웨이의 부품 조달 어려움으로 생산 차질이 발생할 경우 중국 시장에서 오포, 비보 등 현지 스마트폰 업체의 점유율 확대가 예상된다”고 덧붙였다.

 

김 연구원은 “다만 화웨이의 스마트폰 출하 감소가 장기화된다면 한국의 메모리 반도체와 중소형 OLED 패널 구매는 축소될 가능성이 상존해 보인다”고 내다봤다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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