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삼성전자, 반도체 사업장 ‘매립 폐기물 자원순환율 98%’...소나무 40만 그루 심는 효과

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Thursday, June 11, 2020, 11:06:00

반도체 국내 5개·해외 3개 사업장 폐기물 매립 제로 골드 등급 획득
국내 평균 자원순환율 보다 10% 높아..매년 온실가스 2640톤 절감

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자 국내외 모든 반도체 사업장이 환경안전 국제 공인 기구 UL(Underwriters Laboratories)로부터 세계 최고 수준의 ‘폐기물 매립 제로’ 사업장으로 인정받았습니다.

 

UL(Underwriters Laboratory)은 1894년 미국에서 설립됐고, 제품 안전에 관한 표준 개발, 인증 등의 서비스를 제공하는 국제 안전 인증 시험기관입니다.

 

이번 ‘폐기물 매립 제로’ 인증은 사업장에서 발생하는 폐기물을 다시 자원으로 활용하는 비율에 따라 플래티넘(100%), 골드(99~95%), 실버(94~90%), 인증(80%이상)의 등급을 부여하는 제도인데요. 주로 기업의 자원순환 노력을 평가하는 지표로 활용되고 있습니다.

 

삼성전자는 1월 미국 오스틴을 시작으로 국내 5개(기흥·화성·평택·온양·천안), 중국 2개 사업장(시안·쑤저우)까지 총 8개 사업장에 대해 ‘폐기물 매립 제로 인증’ 골드 등급을 획득했습니다.

 

이번에 인증을 완료한 사업장들의 평균 자원순환율은 98.1%됩니다. 삼성전자 국내 반도체사업장에서 발생하는 폐기물 총량 약 60만톤 중 59만톤 이상이 재활용되거나 열에너지로 회수되는 셈입니다.

 

삼성전자 반도체 사업장의 자원순환율은 국내 평균 대비 10% 이상 높은 수준인데요. 10%에 해당하는 폐기물 약 6만톤을 온실가스로 환산하면 연간 CO2 2640톤 수준이며, 이는 소나무 40만 그루를 심어야 흡수할 수 있는 양입니다.

 

특히 반도체 연구개발인력이 근무하는 화성 DSR타워는 국내 최초로 매립 폐기물 완전 제로를 달성해 ‘플래티넘’ 등급을 획득했습니다.

 

 

삼성전자는 90년대 후반부터 반도체 생산과정에서 대량으로 발생하는 폐수 슬러지(화학물질 결정)를 시멘트 제조의 원료로 사용하는 등 자원순환을 위한 노력을 지속해왔는데요.

 

2018년부터는 본격적으로 ‘폐기물 배출 제로’를 목표로 정하고 다양한 폐기물의 재활용 가능성을 연구하고 시설투자를 진행해 왔습니다.

 

특히, 가장 많은 폐기물 중 하나인 폐수 슬러지를 줄이기 위해 탈수펌프와 필터 효율을 높이는 연구를 진행해 연간 7.5만톤의 슬러지를 저감했는데요. 또 폐액 활용을 위해 모든 생산라인에 폐액 배출 배관 시설투자를 진행했으며 이를 처리하는 협력사의 설비 증설 비용도 지원했습니다.

 

직원들도 재활용품 분리배출, 1회용품 사용 최소화 캠페인에 동참해 연간 295톤의 소각폐기물을 줄였습니다. 이같은 노력을 인정받아 삼성전자는 지난해 9월 자원순환 선도기업 대통령 표창을 수상하기도 했는데요.

 

UL코리아 정현석 대표는 “삼성전자는 폐기물 처리 협력사와의 신뢰관계를 바탕으로 꾸준한 연구와 새로운 시도를 해나가고 있다”며 “이러한 협력의 성과로 전 사업장에서 높은 등급을 획득할 수 있었다”고 말했습니다.

 

삼성전자 DS부문 글로벌인프라총괄 박찬훈 부사장은 “환경을 위한 임직원 모두의 노력이 결실을 맺게 되었다”며 “친환경은 이제 선택이 아닌 필수인 만큼 지구환경 보호를 위한 기업의 사회적 책임을 다해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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