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강남 대치동 푸르지오 써밋, 분양가상한제 전에 분양

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Friday, June 12, 2020, 14:06:59

서울 대표 학세권 입지..6월 분양 예정

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ12일 대우건설은 대치동 구마을 1지구를 재건축해 공급하는 ‘대치 푸르지오 써밋’을 6월 중 분양한다고 알렸습니다.

 

견본주택은 7월 중 사이버 견본주택을 먼저 오픈합니다. 서울 강남구 영동대로 337 써밋 갤러리 3층에 마련된 현장 견본주택은 계약자에 한해 입장시킬 계획입니다.

 

이 단지는 서울 강남의 대표적 주거입지인 대치동의 아파트 단지인데다 대우건설의 하이엔드 브랜드인 ‘푸르지오 써밋'이 적용된다는 이유로 시장의 주목을 받고 있습니다.

 

내달 말부터 서울 지역의 재건축‧재개발 일반분양 아파트에 적용되는 분양가상한제를 피할 수 있다는 장점도 있습니다. 분양가상한제가 적용된 주택은 구매 후 최대 5년을 거주해야 하는 의무가 생겨 거래가 제한됩니다.

 

대치 푸르지오 써밋은 서울 강남구 대치동 963번지 일원에 지하 2층~지상18층, 9개동, 총 489가구로 조성됩니다.

 

세대 타입은 소형~중대형으로 구성됐습니다. 전용면적별 분양가구 수는 ▲51㎡A 33가구 ▲53㎡A 10가구 ▲59㎡A 20가구 ▲59㎡B 3가구 ▲102㎡A 30가구 ▲117㎡A 5가구입니다.

 

이중 일반 분양되는 펜트하우스 타입(▲101㎡A ▲107㎡A ▲129㎡A ▲150㎡A ▲155㎡A)은 총 106가구입니다. 129㎡A와 150㎡A 타입은 복층형 구조입니다.

 

단지는 대현초와 대명중, 휘문중·고 등이 인접해 강남의 대표적 학세권 입지에 속합니다. 일대에 경기고, 단대부고, 중대부고, 진선여중·고와 대치동 학원가도 있습니다.

 

교통은 2호선 삼성역과 신분당선 한티역, 3호선 대치역 등과 가깝고, 서울의 중심부를 잇는 테헤란로와 동부간선도로, 올림픽대로를 이용할 수 있습니다. 삼성역을 지나는 광역급행철도 GTX-A, C노선도 개발될 예정입니다.

 

생활 인프라는 현대백화점 무역센터점과 스타필드 코엑스몰이 가깝고 이마트 역삼점 등 대형 마트가 있습니다. 현대자동차글로벌비즈니스센터(GBC)는 최근 착공했으며 영동대로 지하공간 복합개발사업, 강남권 광역복합환승센터도 개발될 예정입니다.

 

이 밖에도 자전거로 5분 거리 내에 탄천과 양재천 등 수변환경이 조성돼 있으며, 세계문화유산인 선릉과 정릉, 대체 유수지 체육공원, 한티 근린공원 등 녹지가 있습니다.

 

단지 내부에는 고급 식재와 섬세한 마감으로 차별화한 조경시설과 골프클럽, 휘트니스클럽, G/X클럽 등 커뮤니티 시설이 마련됩니다. 이외에도 북카페와 푸른도서관, 어린이집 등이 계획돼 있습니다.

 

전용면적 설계는 채광과 개방감을 높이기 위해 남향·판상형 위주이며 2.35m 천정고가 적용됐습니다. 수납특화 및 에너지 절감 설계와 고급 인테리어 디자인도 적용됩니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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