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대림-SK건설, 세계 최장 현수교 차나칼레대교 주탑 완성

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Monday, June 15, 2020, 10:06:08

총 길이 3600m..주탑 높이도 가장 높아
케이블 가설 작업 착수..내년 완공 예정

 

대림산업과 SK건설은 터키 차나칼레대교의 핵심 부분인 주탑을 성공적으로 시공했다고 15일 알렸습니다. 지난해 5월 이 다리의 주탑 기초를 설치한 후 약 1년 만입니다.

 

왕복4차로인 차나칼레대교는 세계에서 가장 긴 현수교로 건설 중입니다. 총 길이는 3600m이며, 주탑과 주탑 사이의 거리인 주경간장은 2023m에 달하죠.

 

이 다리는 주탑의 높이도 334m로 세계 최고(最高)입니다. 프랑스의 에펠타워(320m), 일본의 도쿄타워(333m) 보다 높습니다.

 

차나칼레대교가 주목받는 건 현수교가 해상 특수교량 분야 가운데 시공 및 설계 기술 난도가 가장 높은 분야이기 때문입니다. 주탑과 주탑을 케이블로 연결하고 케이블에서 수직으로 늘어뜨린 강선에 상판을 매다는 방식의 교량인데요.

 

양 사는 차나칼레대교의 주탑을 레고블록을 쌓듯이 설치했습니다. 주탑 하나를 짓는 데 무게가 195톤~850톤인 블록을 64개 들였기 때문에 총 무게는 1만8000여톤에 이릅니다.

 

SK건설·대림산업 컨소시엄 관계자는 “코로나19로 어려운 상황이지만 한국 기술진들이 한국의 기술과 자재로 세계 최고 높이의 주탑을 성공적으로 완성했다” 며 “터키의 랜드마크가 될 세계 최장 현수교를 최상의 품질로 준공해 국내 건설사간의 협력을 통한 글로벌 디벨로퍼 사업의 성공모델이 될 수 있도록 최선을 다하겠다”고 말했습니다.

 

SK건설과 대림산업은 앞으로 주탑과 주탑을 연결하는 케이블 가설 작업을 진행할 계획입니다. 현수교 시공 과정에서 가장 핵심적인 공정입니다.

 

한편 차나칼레 프로젝트는 세계 최장인 3.6㎞의 현수교와 85㎞ 길이의 연결도로를 건설한 후 운영하고 터키정부에 이관하는 BOT(건설∙운영∙양도)방식의 민관협력사업입니다. 다르다넬스 해협을 사이에 두고 나뉘어진 터키 차나칼레주의 랍세키와 겔리볼루 지역을 연결하는데요.

 

대림산업과 SK건설은 지난 2017년 터키 현지업체 2곳과 컨소시엄을 구성해 사업을 수주했습니다. 총 사업비는 약 3조5000억원이며 2021년 하반기 준공 예정입니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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