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전경련 “정부 지원으로 반도체시장 지각변동 대응해야”

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Monday, June 15, 2020, 16:06:06

10년간 반도체 시장 지표 분석..선두 미국·약진하는 중국 사이에서 경쟁력 정체
미·중 정부 반도체 보조금 및 지원 규모 확대..“시장 입지 지키려면 정부 뒷받침 필요”

인더뉴스 이진솔 기자 | 전국경제인연합회(이하 전경련)가 “미국과 중국이 반도체를 두고 패권싸움을 벌이는 가운데 한국 반도체가 선두 미국과 점유율 격차는 좁히지 못하면서도 막대한 정부지원을 등에 업은 중국에 위협받고 있다”며 “시장 입지를 지키려면 정부 지원이 필요하다”고 주장했습니다.

 

15일 전국경제인연합회는 지난 10년간 전 세계 반도체 시장 관련 지표를 분석한 결과를 토대로 이같이 밝혔습니다.

 

전경련은 “분석결과는 절대적 선두에 선 미국, 약진하는 중국, 선방한 한국과 하락세를 탄 일본으로 정리된다”고 설명했습니다. 연도별 전 세계 반도체 시장점유율을 살펴보면 미국은 지난 10년간 45% 이상을 유지했습니다. 중국은 2% 미만이던 점유율이 지난해 5%로 증가했습니다.

 

 

한국은 2010년 14%에서 2018년 24%로 점유율이 증가했지만 지난해 19%로 전년 대비 약 21% 감소했습니다. 유럽과 대만은 점유율이 9년째 정체를 보였고 일본은 2011년 20%에서 지난해 10%까지 떨어지며 감소 폭이 컸습니다. 10년간 세계 반도체 시장 평균점유율은 미국 49%, 한국 18%, 일본 13%, 유럽 9%, 대만 6%, 중국 4% 미만인 것으로 나타났습니다.

 

반도체분야 국제학회(국제고체회로학회)가 매해 발표하는 채택논문 건수 또한 세계 반도체 시장점유율 통계와 비슷한 양상을 보였습니다. 미국이 우위를 유지하고 있는 가운데 동북아 4국이 뒤를 이었습니다. 특히 중국은 2011년 4건이던 논문 건수가 올해 23건으로 5배 이상 증가했습니다.

 

전경련에 따르면 중국과 한국 시스템 반도체 기술격차는 지난 2017년 기준 0.6년에 불과한 것으로 나타났습니다. 한편 한미 간 시스템 부문 기술 격차는 2013년 1.9년, 2015년 1.6년, 2017년 1.8년으로 답보상태인 것으로 조사됐습니다.

 

전경련은 중국이 부상한 배경으로 ‘반도체 굴기’ 계획 등 중앙정부가 추진한 지원이 뒷받침된 결과라고 분석했습니다. 전경련이 OECD(경제협력개발기구)로부터 받은 통계에 의하면 2014년부터 2018년까지 주요 21개 글로벌 반도체기업 중 매출 대비 정부지원금 비중이 가장 높았던 상위 5개 기업 중 3개가 모두 중국기업이었습니다.

 

가장 비율이 높은 SMIC(중신궈지)는 매출 대비 6.6%를 정부로부터 지원받았습니다. 화홍(5%), 칭화유니그룹(4%)이 뒤를 이었습니다. 스위스(ST), 네덜란드(NXP) 국적 기업도 정부 지원 비중이 높았습니다.

 

전경련은 “눈여겨볼 점은 이미 세계 시장 선두에 있는 미국 또한 주요 반도체기업에 세제혜택과 연구개발(R&D) 명목으로 상당한 지원을 제공하고 있다는 것”이라고 강조했습니다. 미국 반도체 기업 매출 대비 정부지원금 비중은 마이크론 3.8%, 퀄컴 3%, 인텔 2.2% 등이었습니다. 반면 삼성전자와 SK하이닉스는 각각 0.8%, 0.6%를 기록했습니다.

 

 

중국 반도체 기업들은 지난 2015년 이후 전 세계 반도체 시장에서 해외기업 인수합병(M&A)에 적극적인 모습을 보였습니다. OECD가 발표한 ‘M&A를 통해 반도체 해외기업을 인수한 기업(Buyer) 통계’에 따르면 2014년까지만 해도 누적 인수기업이 4개에 그쳤던 중국은 이듬해부터 2018년까지 29개 기업이 외국 반도체기업 M&A에 나섰습니다.

 

이에 따라 2012부터 2014년까지 100억 달러(12조 원) 내외였던 세계 반도체 M&A시장 총 거래액은 2016년 596억 달러(72조 원)까지 치솟았습니다. OECD는 보고서를 통해 중국기업이 M&A를 추진한 동력은 2014년 마련된 중국 ‘국가집적회로산업투자기금’이라고 봤습니다.

 

전경련은 이미 중국 보조금으로 반도체시장 지형이 변화하고 있는 가운데 최근 미·중 반도체 패권전쟁이 심화하며 중국 반도체 굴기 170조 원에 대응한 미국 정부 지원규모도 확대될 것으로 예상했습니다.

 

미국은 TSMC 공장 유치에 이어 의회에서 반도체 연구를 포함해 첨단산업 지출을 1000억 달러(120조 원) 이상 확대하는 법안을 준비 중인 것으로 알려졌습니다. 지난 2월 백악관은 반도체 R&D 지원을 위한 관계부처 합동 워킹그룹도 발족한 바 있습니다.

 

김봉만 전경련 국제협력실장은 “중국이 5년 전부터 반도체 굴기를 위해 국가재원을 투입해온 상황에서 미국조차도 반도체 산업 육성을 위해 연방정부 차원에서 지원 노력을 아끼지 않고 있는 것이 놀랍다”며 “반도체를 둘러싼 경쟁이 그 어느 때보다도 치열할 것”으로 예상했습니다.

 

이어 “그동안 우리 반도체가 지금 같은 세계적 입지를 갖기까지 기업이 홀로 선방해온 측면이 있다”며 “최근 미·중 간 기술패권 경쟁에 더해 일본 수출규제까지 여러 악재가 계속되고 있어 입지 수성을 위해 우리도 R&D, 세제혜택 지원 등 정책적 뒷받침을 마련할 필요가 있다”고 했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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