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LG, 서울대와 손잡고 AI 생태계 키운다

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Wednesday, June 17, 2020, 11:06:00

교수만 270명..서울대 AI연구원과 연구협력

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣLG가 서울대 AI연구원과 연구협력을 맺고 국내 AI 생태계를 키워나갑니다.

 

LG사이언스파크와 서울대학교는 16일 서울 관악구에 위치한 서울대학교에서 ‘LG사이언스파크-서울대 AI연구원 공동연구협력’을 체결했습니다. 체결식에는 LG사이언스파크 AI추진단 배경훈 상무, 서울대 AI연구원 장병탁 원장 등이 참석했습니다.

 

서울대학교 AI연구원은 지난 2019년 12월 설립했습니다. 서울대 교수 270여명을 주축으로 서울대 AI 연구진 2000여명이 대규모로 협력해 연구를 진행하는 국내 최대의 AI 연구 조직입니다.

 

이번 공동연구 협력은 서울대학교 AI연구원의 학문적 연구 성과와 산업계를 연계하는 차원에서 추진하게 됐습니다.

 

LG는 서울대 AI연구원과 함께 정기적인 연구성과 교류회를 통해 AI 분야의 네트워크를 강화합니다. 공동 연구의 기회를 마련하고, 인턴십과 인력 교류로 인재양성에도 나선다는 계획입니다.

 

특히 서울대 AI연구원은 추론과 학습, 언어와 인지, 시각과 지각, 데이터 지능, AI 시스템, AI 반도체, 로보틱스, 자율 주행 등의 AI 원천기술과 의료, 신약, 금융, 인문, 미디어, 교육, 재료, 화학 등의 분야에 AI를 적용한 AI 응용기술 관련 국내에서 가장 폭넓은 분야의 연구개발을 진행하고 있습니다.

 

LG사이언스파크 AI추진단은 그룹의 중장기 인공지능 전략 수립과 비즈니스 모델을 발굴하고, 계열사 간 시너지를 창출할 수 있도록 조율하는 역할을 맡고 있습니다.

 

LG사이언스파크 AI추진단 배경훈 상무는 “서울대 AI연구원과 공동연구협력 등 오픈 이노베이션 차원에서 경쟁력을 갖춘 기업, 대학, 연구소들과 전방위적으로 협력해 국내 AI 생태계 활성화에도 이바지할 것”이라고 말했습니다.

 

장병탁 서울대 AI연구원 원장도 “AI를 활용해 다양한 문제의 해결책을 찾는 LG사이언스파크와 실력있고 창의적인 AI 전문가들을 보유한 서울대학교 AI 연구원이 함께해 시너지를 창출할 것”이라며, “서울대 연구자들도 기업과 함께 현실의 과제를 해결하면서 의미있는 연구를 할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했습니다.

 

한편, LG는 AI 관련 학계와의 협력을 통해 오픈이노베이션을 적극 추진하고 있는데요. LG전자는 지난해 1월 KAIST와 손잡고 ‘LG전자-KAIST AI 고급 과정’을 개설했습니다. 영상, 음성, 제어, 고급알고리즘 등 4개 영역 10개 과정을 운영 중입니다.

 

성균관대와도 올해 4월부터 3개월간 AI리더로 선정된 직원 20여명을 대상으로 ‘제조 AI리더 과정’을 운영했습니다. 참가자들은 성균관대 소프트웨어학과와 시스템경영공학과 교수진으로부터 AI·빅데이터 관련 핵심 이론을 교육받고 현업과 연계해 문제 해결 과제를 수행했습니다.

 

LG사이언스파크도 지난해 5월 캐나다 토론토대학교와 기업용 AI 공동연구를 위한 협력을 체결하고 산업과 물류, 제조 현장에 적용을 위한 최신의 AI 기술 연구를 진행하고 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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