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[코스피 마감]美 훈풍 불구 北 리스크 확대에 '강보합'

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Wednesday, June 17, 2020, 15:06:46

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 미국발 훈풍을 이어받지 못하고 보합세로 마쳤다. 대북 리스크가 불거지면서 경계심리가 발동된 탓으로 풀이된다.

 

17일 코스피 지수는 전날보다 0.14% 오른 2141.05에 장을 마쳤다. 간밤 뉴욕 증시의 주요 지수가 2% 안팎의 급등세로 마감했지만, 북한의 군사행동 가능성이 제기되는 등 대북 리스크가 확대되면서 지수는 장중 한때 1.5% 넘게 급락세를 보이기도 했다.

 

이날 우리 국방부는 북한이 사실상 9·19 남북군사합의 파기를 예고한 데 대해 "실제 행동에 옮겨질 경우 북측은 반드시 그에 대한 대가를 치르게 될 것"이라고 경고했다.

 

앞서 북한은 개성 남북공동연락소 건물을 폭파한 데 이어 금강산 관광지구와 개성공단, 비무장지대(DMZ) 내 감시초소에 군부대를 재주둔시키고 서해상 군사훈련도 부활시키겠다고 밝혔다.

 

서상영 키움증권 연구원은 "간밤 미국 증시 강세에 힘입어 상승세를 보이다가 중국과 인도간의 무력 충돌, 미국과 중국의 코로나 재확산 우려 등이 복합적으로 작용하며 하락 전환하기도 했다"고 분석했다. 이어 "북한과 관련된 이슈가 시장에 회자되고 있다"며 "역사적으로 북한 관련 이슈는 장중 변동성을 확대하기는 하지만 시장 변화를 이끄는 이슈는 아니었다"고 해석했다.

 

투자주체별로는 개인이 1533억원 순매수했고 외국인과 기관이 각각 521억원, 1163억원 순매도를 기록했다. 원달러 환율은 0.56% 오른 달러당 1213.90원을 나타냈다.

 

업종별로는 혼조세였다. 음식료가 1.7% 오른 것을 비롯해 의료정밀, 비금속광물, 전기전자, 서비스, 금융 등이 상승했다. 반면 운수창고, 전기가스, 섬유의복, 운수장비 등은 하락세로 마쳤다.

 

시가총액 상위종목들은 혼조세였다. 삼성전자는 0.19% 올랐고 SK하이닉스는 1.64% 상승했다. 네이버는 3% 상승하며 사상 최고가를 경신했고, 삼성바이오로직스는 7거래일 만에 하락세(-0.24%)로 전환했다. LG는 기관의 대량 매수에 8% 넘게 급등했다.

 

개별종목 가운데는 우선주들의 무더기 급등세가 이어졌다. 한화우, 한화투자증권우, 남선알미우, 넥센우, SK증권우, 삼성중공우 등이 동반 상한가를 기록했다.

 

한편 코스닥 지수는 0.02% 오른 735.40을 기록했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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