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한미약품 롤론티스, 전임상서 당일 투여 가능성 확인

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Tuesday, June 23, 2020, 15:06:01

페그필그라스팀 比 호중구감소증 발현 기간 짧아

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ한미약품이 개발한 호중구감소증치료제 롤론티스 연구결과가 미국암학회에서 발표됐습니다.

 

23일 한미약품에 따르면 파트너사 스펙트럼은 미국암학회(AACR)에서 화학항암요법 치료를 받은 당일에 롤론티스를 투여한 뒤 경쟁약물(페그필그라스팀) 대비 호중구감소증의 짧은 발현 기간을 확인한 연구결과(전임상)를 발표했습니다. 미국암학회(AACR)은 지난 22일 온라인에서 진행됐습니다.

 

이번에 포스터 발표된 임상은 화학항암요법으로 유도한 호중구감소증(CIN) 쥐 모델을 대상으로 한 연구입니다. 화학항암요법 치료 당일 중 각기 다른 세 시점(2·5·24시간) 후에 롤론티스와 페그필그라스팀을 각각 투여했습니다. 연구 결과에 따르면 세 시점 모두에서 롤론티스 투여군의 호중구감소증 발현 기간이 페그필그라스팀 투여군 대비 짧은 것으로 나타났습니다.

 

이번 연구는 향후 롤론티스의 시장 경쟁력을 확보하는 의미있는 결과라는 게 회사 측 설명인데요. 기존 호중구감소증 치료제들은 환자들이 화학항암요법(항암제 등) 치료를 받은지 24시간 이후에 투여할 수 있었기 때문에 호중구감소증 예방치료를 위해 하루 더 입원하거나, 병원 방문을 한번 더 해야 했습니다.

 

스펙트럼은 이번 연구를 통해 화학항암요법을 받은 당일 롤론티스를 투여할 수 있는 가능성을 확인했는데요. 회사는 호중구감소증 시장에서 확고한 경쟁 우위를 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.

 

프랑수아 레벨 스펙트럼 CMO는 “이번 임상 연구는 롤론티스 당일 투여가 CIN 예방에도 도움이 될 수 있음을 시사한다”며 “이번 연구결과를 토대로 초기 유방암 환자의 화학항암요법 치료 당일 다양한 간격을 두고 롤론티스를 투여해 호중구감소증 발현 기간을 평가하는 임상 1상 연구를 최근 시작했다”고 말했습니다.

 

권세창 한미약품 대표이사는 “이번 임상은 암으로 고통받는 환자들의 치료를 보다 수월하게 하고, 치료에 수반되는 비용도 절감할 수 있는 가능성을 본 연구”라며 “파트너사와의 긴밀한 협력으로 롤론티스가 관련 시장에서 확고한 경쟁력을 차지할 수 있도록 최선을 다하겠다”고 말했습니다.

 

한편, 롤론티스는 지난 2012년 미국 스펙트럼사에 기술 수출된 바이오신약으로 약효와 투약 주기를 획기적으로 늘려주는 한미약품 독자 플랫폼 기술 ‘랩스커버리’가 적용됐습니다. 현재 미국 FDA 시판허가 절차가 진행 중이며 올해 하반기 미국 출시가 예정돼 있습니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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