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코아스템, 410억 규모 CB 발행…"임상 3상·해외진출 박차"

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Thursday, June 25, 2020, 18:06:08

인더뉴스 데이터뉴스팀ㅣ 줄기세포 치료제 전문기업 코아스템이 2015년 상장 이후 처음으로 전환사채(CB)를 발행해 운영자금 확보에 나섰다.

 

코아스템은 26일 미래에셋투자증권을 주관사로 410억원 규모의 4년 만기 전환사채를 발행한다고 공시했다. 이 전환사채는 라이노스자산운용을 비롯한 기관투자자들이 인수하며 전환가액은 주당 1만8672원이다.

 

김경숙 코아스템 대표는 “기관 투자자들이 코아스템의 기업가치와 성장 잠재력을 계속 신뢰하고 있어 좋은 조건으로 파이낸싱을 할 수 있었다”고 말했다.

 

코아스템은 전환사채 발행을 통해 확보한 자금으로 임상3상 진행, 시설 및 연구 개발 등 미래를 위한 투자에 나설 예정이며 이에 따라 바이오 사업에 탄력이 붙어 중장기적으로 기업가치가 상승할 것으로 기대하고 있다.

 

이와 함께 의약품제조품질관리기준(GMP)을 충족하는 해외 생산시설 확충용 자금을 선제적으로 마련해 향후 글로벌 제약사들과 라이선싱 협상에 나설 때 유리한 여건을 확보할 수 있을 것으로 예상하고 있다.

 

코아스템은 지난 1월 세계 최대 제약바이오박람회인 ‘JP모건 헬스케어컨퍼런스’에서 글로벌 제약사들로부터 향후 라이선스 협상에 참여하겠다는 의사를 확인하고 해외진출 준비에 박차를 가하고 있다.

 

또한 코아스템은 줄기세포를 기반으로 한 근위축성측삭경화증(ALS·루게릭병) 치료제 뉴로나타-알주의 임상 3상 시험을 한국 식약의약품안전처와 미국 식품의약국(FDA)의 동시 승인 아래 진행하기 위해 준비 중이다.

 

이 3상 시험은 한양대, 서울대, 서울삼성, 고려대안암, 양산부산대병원 등 5개 병원에서 ALS 환자 115명을 대상으로 국내에서 실시된다. 시험은 FDA와의 협의 내용을 반영해 장기간(1년) 5차례 투여 및 관찰로 설계되었으며 약 200억원 규모의 시험비용은 코아스템이 전액 부담한다.

 

뉴로나타-알주의 1,2상 시험 결과를 발표한 논문들은 유럽신경학저널(EAN) 등 관련 국제학회에서 인정받았으며 글로벌 제약사들은 이에 높은 관심을 보였다는 설명이다.

 

코아스템은 희귀 난치병 줄기세포 치료제 개발 전문 기업으로 다계통위축증(MSA)과 루프스 치료제 등의 임상 1상을 최근 안전하게 완료하고 후속 개발 연구에 본격 나서고 있다.

 

 

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편집국 기자 info@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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