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주가 폭락에 자사주 취득 나섰지만…대부분 ‘계획 미달’ 왜?

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Friday, June 26, 2020, 08:06:45

자사주 취득 66%, 계획했던 수량 못 채워
코로나19 쇼크 이후 급반등한 주가 때문

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 3월 중순 코로나19로 인한 폭락장에서 주가방어를 위해 자사주 취득에 나선 대다수 기업들이 계획한 만큼의 수량을 채우지 못하고 있다. 국내 증시가 예상보다 빠른 속도로 반등하면서 주가가 금세 안정세를 찾았기 때문이다.

 

26일 금융감독원 전자공시에 따르면 이달 들어 자사주 취득 결과 보고서를 공시한 기업들은 56곳에 달한다. 지난 24일에는 아이에이, 뉴파워프리즈마, 서부T&D, 앤디포스 등 11곳이 결과를 발표했다.

 

이 중 대다수는 지난 3월 중순 코로나19 여파로 국내 증시가 폭락하고 있을 때 주주가치 제고 등을 목적으로 자사주 매입 결정에 나섰다. 그러나 대부분의 기업들은 당시 계획했던 것보다 적은 물량을 취득하는 데 그쳤다.

 

이달 들어 자사주 취득 결과를 보고한 56곳 중 66%(37곳)가 실제 취득한 주식 수가 기존에 계획했던 주수를 못 채웠다. 지난해 같은 기간에는 8곳 중 1곳만 계획한 주수와 실제 취득주수가 불일치했던 것과 비교하면 큰 폭으로 늘었다.

 

유가증권시장보다 상대적으로 주가 변동성이 큰 코스닥시장에서 차이가 더 컸다. 여기서는 총 32곳 중 78%(25곳)가 불일치했다. 지난해 같은 기간 코스닥시장에서는 4곳 중 1곳만 불일치했다.

 

이러한 현상의 배경에는 예상보다 빠르게 회복한 국내 증시 영향이 컸다는 분석이다. 상장사 한 회계 담당자는 “3월 중순 코로나 여파로 국내 증시가 폭락하고 있을 때 기업들은 자사주취득 결정을 통해 주가방어에 나서는 모습을 보였다”며 “그러나 예상보다 국내 증시가 빠르게 회복하면서 계획했던 물량을 모두 소화할 필요가 없어졌다”고 설명했다.

 

또한 일부 기업은 회복 국면에서 주가가 안정권에 접어들자 거래량이 급격히 줄어들어 계획했던 물량을 다 채우지 못하는 경우도 발생했다.

 

실제로 전기회로 보호장치 제조기업 프리엠스는 30억원 규모의 자사주취득 결정을 했지만 17억원 어치의 자사주를 취득하는 데 그쳤다. 금속 성형기계 제조업체 SIMPAC도 애초 계획은 50억원 규모 였지만 실제 취득한 주식은 29억원 어치였다.

 

이밖에 전자금융 솔류션 개발업체인 세틀뱅크는 당초 계획했던 50억원 어치(40만주)를 모두 사들였지만 금세 주가가 회복되자 같은 금액으로 29만주를 취득하는 데 그쳤다.

 

한편 코로나 여파로 국내 증시가 폭락할 때 기업들이 주주가치 제고를 목적으로 자사주 취득에 나섰지만 지속적인 주가 상승으로 이어지려면 소각도 함께 이뤄져야 한다는 지적이다.

 

강소현 자본시장연구원 연구위원은 “자사주 취득 자체만으로는 주식 수 감소 효과가 일시적인 것에 그칠 가능성이 높지만, 소각된 자사주는 재매도가 불가능하기 때문에 그 효과가 영구적”이라고 설명했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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