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[인사] 우리은행

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Monday, July 06, 2020, 10:07:04

 

인더뉴스 전건욱 기자ㅣ▲우리은행

 

◇ 승진

 

<금융센터 기업지점장> ▶가락중앙 구옥분 ▶가산IT 이종찬 ▶도산대로 이승민 ▶무역센터 채수길 ▶문정중앙 허진 ▶법조타운 구은아 ▶서여의도 노검래 ▶서초 서병운 ▶선릉 김상필 ▶송파 김종학 ▶신사동 이중엽 ▶양재남 조일형 ▶테헤란로 진용두 ▶남동공단 신상원 ▶부평 장승욱 ▶분당중앙 김태섭 ▶오창 양희성 ▶부전동 황상수 ▶울산중앙 신환철 ▶창원공단 권아섬 ▶성서 정승윤 ▶광주 한정수

 

<지점장> ▶구로구청 김동현 ▶글로벌투자지원센터 김건우 ▶길동 명신욱 ▶까치산역 이희정 ▶목동중앙 김정훈 ▶은평뉴타운 엄창용 ▶혜화동 최영선 ▶덕소 정재륜 ▶수지동천 이상성 ▶화성정남 이준석 ▶대전무역회관 박은서 ▶논산 김태영 ▶대천 김종섭 ▶강릉 채수명 ▶부암동 배한철

 

<기업영업본부 기업지점장> ▶본점2 한백수 ▶중앙 정규석 ▶종로 권오희 ▶남대문 임소연 ▶미래 김효순

 

<중견기업전략영업본부 기업지점장> ▶함지석 ▶김태진

 

<본부부서 부장> ▶개인고객부 김광연 ▶고객센터 김기환 ▶디지털사업부 이창재 ▶투자금융부 김홍익 ▶자금부 예희승 ▶직원만족센터 정장훈 ▶여신정책부 공종남 ▶대기업심사부 이상헌 ▶여신관리부 정영호 ▶리스크총괄부 박연호 ▶비서실 홍성훈 ▶준법감시실 이동민

 

<지점장 대우> ▶두바이 조병조

 

<해외파견> ▶베트남우리은행 박종희

 

<연수> ▶기상일 ▶지여옥 ▶김정심 ▶백수아 ▶최윤정 ▶김희준 ▶손주현 ▶도미경 ▶이연아 ▶오은주 ▶임향순 ▶이소연 ▶차은영 ▶오윤경 ▶임선주 ▶박은영 ▶이순선

 

◇ 이동

 

<금융센터장> ▶가든파이브 양진모 ▶강남대로 변의갑 ▶문정중앙 정승수 ▶수서역 이원재 ▶동백 조주현 ▶롯데월드타워 허기철

 

<금융센터 기업지점장> ▶남역삼동 이영민

 

<기업영업본부 기업지점장> ▶강남 전준성

 

<지점장> ▶가산디지털중앙 이무진 ▶노량진 김성훈 ▶서초역 박광욱 ▶홍제동 김용정 ▶TC프리미엄강남센터 박승안 ▶권선 전수일 ▶김포구래 박창욱 ▶매탄동 반석용 ▶수지 최호열 ▶천안청수 조선주 ▶시드니 홍의석 ▶다카 김동헌 ▶두바이 황규호

 

<영업본부 지점장> ▶대구경북서부 이상석

 

<지점장 대우> ▶TC프리미엄강남센터 박일건

 

<본부부서장> ▶개인고객부 박봉순 ▶영업추진센터 김동성 ▶빅데이터사업부 이송희 ▶AI사업부 전유승 ▶디지털사업부 한재철 ▶스마트고객부 윤희준 ▶자산관리사업부 김영봉 ▶연금사업부 강용재 ▶투자상품전략부 최영민 ▶주택기금부 최종현 ▶기업고객부 송윤홍 ▶중소기업지원부 정창화 ▶외환사업부 차재헌 ▶증권운용부 최준연 ▶글로벌IB심사부 이태훈 ▶준법감시실 한창식 ▶법무실 장환

 

<본부부서 부장> ▶DT추진단 고원명 ▶디지털사업부 김종우 ▶신용리스크관리부 김성준 ▶검사실 김동완 ▶검사실 심근섭

 

<해외파견> ▶우리파이낸스미얀마 김진회 ▶홍콩우리투자은행 이수진

 

<지주사파견> ▶정찬호

 

<연수> ▶전필식 ▶배연수 ▶곽훈석 ▶박성봉 ▶성병규 ▶김인철 ▶김학빈 ▶김호상

 

 

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전건욱 기자 gun@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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