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중남미 순방길 오른 박원순 시장...이유는?

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Monday, July 08, 2019, 14:07:51

도시재생・교통 혁신 교류 차 7박 10일 멕시코·콜롬비아 방문
ICT 기술 활용 스마트시티 등 서울시 정책 소개 및 전수

 

인더뉴스 진은혜 기자ㅣ 박원순 시장이 ‘도시재생・교통 혁신교류’를 키워드로 중남미 3개 도시를 방문한다. 도시 재생과 교통 혁신을 통해 지역 문제를 해결한 현장을 방문하고 서울시의 우수사례도 공유해 정책사례를 수혈하는 기회를 마련하기 위해서다.

 

8일 서울시는 박원순 시장이 8일~17일 7박 10일 일정으로 중남미 순방길에 오른다고 밝혔다. 중남미 지역 공식방문은 2012년 브라질‧아르헨티나 방문 이후 7년 만이다. 대한민국의 중남미 최대 교역대상국인 멕시코의 수도 멕시코시티와 콜롬비아의 메데진, 수도 보고타 3개 도시를 방문하는 일정이다.

 

박원순 시장은 공중 케이블카를 세계 최초로 대중교통 시설로 설치한 콜롬비아 메데진의 산토도밍고 지역을 방문한다. 메데진 시는 산토도밍고 지역 도시 재생으로 2016년 도시 행정의 노벨상으로 불리는 ‘리콴유 세계도시상’을 수상했다. 서울시는 2018년에 해당 상을 받았다.

 

박원순 시장은 산비탈 빈민가의 이동 편의와 치안 두 마리 토끼를 잡은 메데진 고산지역의 에스컬레이터 대중교통 현장과 케이블카와 간선버스 간 무료 환승 시스템이 구축된 보고타의 ‘트랜스미케이블’도 살펴볼 계획이다.

 

또한 지구상에서 가장 큰 차 없는 거리이자 보행 친화 모범사례로 꼽히는 콜롬비아 보고타의 ‘시클로비아’ 현장을 찾는다. 이어 남미에서 두 번째로 큰 도시공원인 멕시코시티의 ‘차풀테펙 도시공원’과 청년에 투자하는 멕시코시티의 사회혁신센터 ‘필라레스(PILARES)’도 방문한다.

 

박원순 시장은 서울형 도시재생을 비롯한 서울시의 정책사례도 공유할 계획이다. 순방 첫 일정으로 멕시코시티 건축가협회의 초청으로 열리는 ‘서울-멕시코시티 지속가능한 도시포럼’에 참석한다. 또 리콴유 세계도시상 수상 도시들을 중심으로 개최되는 ‘2019 세계도시정상회의 시장포럼’에서는 ICT 기술을 활용한 서울시의 혁신과 올빼미 버스, 디지털 시민 시장실 등의 사례를 소개할 예정이다.

 

아울러 ‘세계도시정상회의 시장포럼’의 의장인 로렌스 웡(Lawrence Wong) 싱가포르 국가개발부 장관을 비롯해 엔리케 페날로사(Enrique Penalosa) 보고타 시장, 아니스 라시드 바스웨단(Anies Baswedan) 자카르타 주지사 등과도 만난다. 중남미에 진출한 우리 기업인들과 서울시의 지원역할 등을 모색하기 위한 간담회도 마련된다.

 

박원순 시장은 “중남미 도시는 천연자원이 풍부해 국가발전 잠재력이 매우 큰 지역 중 하나로 서울시는 이번 순방을 계기로 삼아 중남미로의 도시외교 외연을 대폭 확장하고 현지에 진출한 한국기업들과의 교류협력, 우리기업의 새로운 진출 등에 대해서도 지원할 방안은 없는지 모색하겠다”며 “아울러 이번 순방이 세계 모든 도시의 화두인 지속 가능하고 살기 좋은 도시에 대한 공감대를 확대하는 계기가 되길 기대한다”고 말했다.

 

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진은혜 기자 eh.jin@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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