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디에이테크놀로지, 2차전지 설비 장폭 셀 스태킹 개발 완료

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Wednesday, August 05, 2020, 16:08:09

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 2차전지 설비 전문 업체 디에이테크놀로지(196490)가 연이은 기술개발에 성공하며 경쟁력을 강화하고 있다.

 

디에이테크놀로지는 장폭 셀 스태킹 설비 개발에 성공했다고 5일 밝혔다.

 

개발된 장폭 셀 스태킹은 최고 속도 0.5/sheet에 달하는 설비로 기존 장폭 적층 Z-스태킹 중 최고 속도를 지니고 있다. 이번 개발은 그동안 지속적으로 발생했던 이매 분리 이슈를 해결하고, 국외 기업의 장폭 셀 증설 계획에 따라 개발이 진행됐다.

 

이번에 개발된 장폭 셀 스태킹에는 크게 3가지의 신규 기술이 적용됐다. P&P 유닛이 동작하는 동안 매거진 유닛에서 바이브레이션 패드를 통해 이매분리가 진행되는 신규 방식을 차용했다. 또한 첫 번째 P&P유닛과 두 번째 P&P유닛을 동시에 작동하는 구조로 롱 셀 이송시 택트 타임을 최소화했고, 신규 적층방식을 활용해 셀 무너짐 현상을 완화했다.

 

최근 디에이에테크놀로지는 지속적으로 기술연구 개발에 힘쓰고 있다. 지난달 2차전지의 와인딩 방식 셀 스택 제조 장치 및 방법에 관한 특허를 취득했으며, 고속 레이저 노칭 장비 개발에도 성공한 바 있다.

 

디에이테크놀로지 관계자는 “이번 장폭 셀 스태킹 설비 개발에 성공하면서 2차전지 시장에서 당사의 입지가 더욱 강화될 것으로 기대된다”며 “올 하반기에도 국내외 배터리 증설 이슈가 있는 만큼 기술경쟁력을 통해 수주를 확대해 나가겠다”라고 말했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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