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“이미 2024 대권후보”…인니 차기 대통령은 누구?

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Wednesday, July 10, 2019, 15:07:25

5년 중임제 조꼬 위도도 대통령 이후 후보 15명 분석 주목

 

인더뉴스 박명기 기자ㅣ조꼬 위도도(조꼬위) 대통령의 두 번째 임기가 시작되기도 전에 차기 대통령 후보에 대한 논의가 시작됐다.

 

인도네시아는 5년 중임제를 선택하고 있는 만큼 조꼬위 대통령은 더 이상 출마할 수 없다. 현재로서는 뚜렷하게 선두에 나선 인물도 없는 상황이다. 앞으로 5년 간 누가 선두로 올라설지 알 수 없는 상황이다.

 

인도네시아 매체 데일리인도네시아는 3일 현지 언론 보도에 따르면, 여론조사기관 LSI(Lembaga Survei Indonesia) 소속 연구원 룰리 악바르가 5년 후 대권 후보군을 리서치했다고 전했다.

 

룰리 악바르는 “아직 시간이 많이 남아 있지만 5년 후에 후보가 될 수 있는 인물들을 예상해 보았다. 14명은 이미 드러난 인물들이다. 마지막 후보는 아직 드러나지 않은 채 있지만 갑자기 부상하게 될 제2의 조꼬위가 될 것”이라고 ‘전망’했다.

 

LSI가 지난 2일 발표한 2024년 대선후보 명단은 다음과 같다.

 

기성정치인 또는 정치가문 출신 인물들로 쁘라보워 수비안또 그린드라당(Gerindra) 총재, 아이르랑가 하르또노 골까르당 총재, 무하이민 이스깐다르 국민각성당(PKB) 총재, 아구스 하리무르띠 유도요노 민주당 대표, 뿌안 마하라니 인력개발문화조정장관, 산디아가 우노 등이다.

 

두 번째 그룹은 지방자치단체장으로 경력을 쌓고 있는 인물로는 리드완 까밀 서부자바 주지사, 아니스 바스웨단 자카르타 주지사, 간자르 쁘라노워 중부자바 주지사, 코피파 인다르 빠라완샤 동부자바 주지사 등이 있다.

 

고위공직자로는 스리 물야니 재무장관, 부디 구나완 국정원(BIN) 원장, 띠또 까르나비안 경찰청장, 가똣 누르만띠요 전 통합군(TNI) 사령관 등이다.

 

그리고 마지막으로 아직 드러나지 않은 제2의 조꼬위가 있다.

 

현재 집권당인 투쟁민주당(PDIP)은 2024년 대선에 제2의 조꼬위가 나올 수 있다는 입장을 밝혔다. PDIP 관계자 에바 꾸수마 순다리는 3일 현지 언론에 “제2의 조꼬위(next Jokowi)를 영입할 수도 있다”라고 말했다.

 

에바는 제2의 조꼬위는 당내 인사도 국회의원도 정치명문가의 일원도 아닌 인물이라는 의미라고 설명했다. 2014년 대선 때도 정치명문가의 자제이거나 기성정치인들이 후보로 나섰지만 마지막 승자는 기존 정치 그룹에 속하지 않는 기업가 출신 정치신인인 조꼬위였다.

 

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박명기 기자 pnet21@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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