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이수앱지스, 항암 신약후보 ‘ISU104’ 美 특허 취득

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Thursday, July 11, 2019, 10:07:48

“한국·대만·호주서도 특허 확보..향후 기술이전 가능성 높여”

인더뉴스 김진희 기자ㅣ이수앱지스의 항암 신약후보 물질 ISU104가 연이어 글로벌 특허 취득에 성공했다.

 

이수앱지스는 11일 공시를 통해 미국 특허상표청(USPTO; United States Patent and Trademark Office)에 ErbB3를 타깃으로 개발하는 항암 신약후보 ‘ISU104’의 물질과 암 또는 항암제 내성암 치료를 위한 조성물 및 이를 이용한 방법에 대한 특허를 등록했다고 밝혔다.

 

이수앱지스 측은 “이미 한국·대만·호주에서 특허를 확보한 데 이어 글로벌 스탠다드로 꼽히는 미국에서도 ISU104의 기술력을 인정받아 향후 기술이전의 가능성을 높여나가고 있다”고 설명했다.

 

ISU104는 암 발현의 다양한 원인 중 하나인 ErbB3를 타깃으로 개발하고 있는 항암 신약이다. ErbB3를 타깃으로 하는 시판 중인 항암제는 아직 없는 가운데, ErbB3는 표준 항암 치료법에 대한 약물 내성의 주요 원인 중 하나로 알려져 있다. 이에 이수앱지스는 기존 항암제에 내성이 생긴 난치암 치료에 효과가 기대 된다는 입장이다.

 

이수앱지스는 3분기 내 임상 1상 Part 2 시험을 개시해 재발성·전이성 두경부암 편평상피세포암 환자를 대상으로 ISU104 단독 투여 및 세툭시맙(cetuximab) 과의 병용 투여의 안전성·내약성 및 약동학적 특성을 확인한다는 계획이다. 세툭시맙은 FDA 승인을 받은 대표적인 대장암 치료제 중 하나다.

 

또한, ISU104는 동물모델에서 확인한 결과 두경부암 외에 유방암·대장암 등에서도 종양 성장 억제 효과가 확인된 바 있어 적응증 확장에 대한 가능성도 열려 있다.

 

이수앱지스 관계자는 “이번 미국 특허 등록으로 기술에 대한 지적재산권(IP) 포트폴리오를 확대해 나가고 기술의 보호와 진입 장벽을 높여 부가가치를 창출할 수 있을 것으로 기대된다”며 “이를 계기로 향후 공동 연구개발 및 기술이전 등의 과정에서 한층 유리한 조건으로 협상을 진행할 수 있을 것”이라고 강조했다.

 

한편, 이수앱지스는 신약 개발 전문 기업으로, 글로벌 네트워크 확대를 위해 지난달 바이오 USA에 참가해 글로벌 제약사들과 다양한 비즈니스 형태의 가능성을 열어두고 미팅을 진행한 바 있다.

 

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김진희 기자 today@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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