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“5조원 터키 고속철도 잡는다”...국토부, 수주 지원 ‘총력’

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Friday, September 04, 2020, 15:09:01

입찰공고 앞둔 143km 할칼리~게브제 고속철도망 사업
정부, 터키 정부에 사업 경험 공유 등 협력 의지 강조

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ우리 기업의 터키 철도 인프라 시장 첫 진출을 위해 정부가 팔을 걷어붙였습니다. 터키는 사업비 5조원의 대규모 철도 공사를 추진 중인데요. 정부는 터키 고속철도 기술 수출을 지원해 우리 철도기업의 해외 진출 물꼬를 튼다는 방침입니다.

 

국토교통부는 지난 3일 터키 교통인프라부와 영상회의를 통해 우리 기업의 터키시장 고속차량 수출과 할칼리-게브제 고속철도 건설사업 수주를 지원하고, 철도협력 업무협약 개정 등 협력기반 강화방안을 논의했습니다.

 

이처럼 정부가 수주외교에 직접 나선 건 유럽과 아시아를 연결하는 터키의 대규모 철도사업을 때문인데요. 터키는 길이 143km, 사업비 5조원의 할칼리~게브제 고속철도망을 건설하고 고속차량 94편성을 구매할 예정입니다.

 

국토부는 이날 영상회의에서 한국이 단기간에 고속철도 기술 자립국으로 도약한 경험과 민자 철도사업의 장점을 소개했습니다.

 

이 계획에 따르면 터키 고속철도는 현재 1213㎞에서 1만 2915㎞, 일반철도는 1만 1319km에서 1만 2115km로 철도망이 연장될 전망입니다. 다만 사업 분할, 공사 시기 등 구체적인 공사계획은 아직 정해지지 않았습니다.

 

우리 정부는 한국이 할칼리~게브제 사업을 수주할 경우 본 노선에 적용 가능한 민자사업 모델과 민자 철도 사업 경험을 터키에 제공하겠다고 제안했습니다. 양국 철도협력 MOU에 민관협력사업(PPP) 개발, 고속차량 기술이전 및 공동생산, 철도안전 협력 등을 추가하기로 합의한 내용도 사업 수주에 영향을 미칠 것으로 보입니다.

 

앞으로 할칼리~게브제 철도사업은 치열한 수주전이 예상됩니다. 알려진 바로는 중국 기업도 수주를 추진 중입니다. 국내에서는 한국철도시설공단과 한국철도기술연구원, 리딩 팀코리아(현대건설, GS건설, SK텔레콤, KIND, 현대로템 등)가 나섰습니다.

 

김선태 국토교통부 철도국장은 “이번 한-터 철도당국 간 화상회의는 코로나-19로 어려움을 겪고 있는 우리 철도기업의 해외시장 진출 물꼬를 트는 의미 있는 계기”라며 “향후 터키 철도시장이 크게 성장할 것으로 기대되는 만큼 양국이 철도분야에서 성공적 동반자 관계로 나아갈 수 있도록 다각적으로 철도협력 관계를 구축해 나가겠다”고 말했습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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