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LG유플러스, ‘유심 없는 통신 모듈’ 세계 첫 상용화 인증

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Tuesday, September 08, 2020, 10:09:38

IoT 기기 크기 및 내구성 줄여..소니 등 국내외 업체와 협력

 

인더뉴스 이진솔 기자 | '유심(USIM) 없는 통신 모듈’이 세계 최초로 이동통신사 상용화 인증을 마쳤습니다. 물리적 유심을 소프트웨어(SW)를 통해 통신 칩셋으로 대체한 방식입니다. 사물인터넷(IoT) 기기를 설계할 때 유심을 탑재하는 부분을 없애 공간 효율성을 높일 수 있습니다.

 

LG유플러스는 국내외 통신 개발사와 손잡고 SIM카드 없는 통신 기술 ‘iUICC(integrated SIM or iSIM)‘에 대한 상용화 인증을 완료했다고 8일 밝혔습니다. 이동통신사가 해당 기술을 인증한 것은 세계에서 처음입니다.

 

통신 모듈은 네트워크를 통해 다른 기기와 정보교환을 할 수 있게 해주는 칩셋·RF소자·메모리 등을 포함한 기능 집합입니다. ▲소니(SONY) 그룹 통신 칩셋 개발 전문 계열사 ‘소니 반도체 이스라엘’ ▲국내 통신 모듈 개발 전문 회사 ‘엔티모아’ ▲SIM 및 보안기술 분야의 글로벌 회사 ‘G&D(Giesecke+Devrient)’ 등이 개발에 참여했습니다.

 

iUICC는 ‘SIM(Subscriber Identity Module)’을 기기에서 음성·데이터 신호처리를 담당하는 통신 칩셋 기능으로 구현한 기술입니다. SIM은 통신 서비스에서 가입자 인증, 요금 부과 등을 위해 개인정보를 저장한 소형 메모리 카드입니다.

 

이미 SW로 SIM카드를 대체하는 유사한 기술은 있었습니다. 하지만 보안 취약성 한계로 서비스 활용에 제약이 존재했습니다. UISM이나 ‘eSIM(embedded SIM)’도 SIM을 위한 별도 공간과 부품이 필요해 기기 내부 실장 면적 감소로 이어지지 못했습니다.

 

이번 기술이 기기에 적용되면 더 작고 가벼워진 IoT 기기를 만들 수 있게 됩니다. 통신 칩셋 내에 iUICC 기능이 탑재돼 SIM을 위한 별도의 공간이나 부품이 필요 없고 기기 크기와 무게가 줄어들기 때문입니다.

 

IoT 기기 구매 비용이나 임대료도 낮아질 전망입니다. SIM카드 및 SIM카드를 탑재하기 위한 소켓이 제거되면서 제조사가 원가를 절감할 수 있게 됩니다. 기기 관리가 수월해지는 장점도 있습니다. SIM카드가 없으면 외부환경 내구성이 높아집니다.

 

LG유플러스는 이번 iUICC 기술을 ‘NB-IoT’, ‘LTE-Cat.M1’ 네트워크를 기반으로 하는 IoT 기기에 우선 적용할 계획입니다. 옥외 상태 신뢰성 확보가 중요한 원격 검침이나 소형화가 필요한 위치추적기 등에 적용을 검토하고 있습니다.

 

전영서 LG유플러스 기술서비스개발담당은 “향후 iUICC가 지닌 경제성과 신뢰성, 공간효율 장점을 살려 차별적 IoT 디바이스 라인업을 선보일 것”이라며 “NB-IoT부터 5세대(5G) 이동통신까지 다양한 네트워크를 활용해 기업 고객에게 최상의 IoT 서비스를 제공하겠다”고 말했습니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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