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[코스피 마감] 美 증시 급락 영향에 1% 대 하락

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Wednesday, September 09, 2020, 15:09:56

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 코스피가 1% 이상 하락 마감했다. 전날 미국 증시 급락에 따른 영향으로 풀이된다.

 

9일 코스피 지수는 전 거래일보다 26.10포인트(1.09%) 떨어져 2375.81을 가리켰다. 이날 코스피지수는 장 중 한 때 2360선까지 밀리는 모습을 보이기도 했다.

 

간밤 다우존스30 산업평균지수는 전거래일보다 632.42포인트(2.25%) 내린 2만 7500.89를 기록했다. 스탠더드앤드푸어스(S&P) 500 지수와 나스닥은 각 2.78%, 4.11% 급락한 바 있다.

 

이에 애플은 신제품 공개 일정을 내놨음에도 6% 넘게 빠졌고, 테슬라는 S&P 500 편입 좌절로 21%대 폭락했다. 마이크로소프트, 아마존, 페이스북 등 다른 대형 기술주도 부진했다.

 

이재선 하나금융투자 연구원은 “이날 국내 증시 하락은 간밤 나스닥을 중심으로 한 뉴욕 증시 급락 영향이 크다”며 “다만 지난 8월 코로나19 재확산으로 다른 나라에 비해 조정을 먼저 겪으면서 그나마 선방한 수준”이라고 평가했다.

 

수급적으로는 기관과 외국인이 각 4288억원, 1166억원 가량 팔아치우며 지수를 끌어내렸다. 개인은 홀로 5137억원을 순매수했다.

 

업종별로는 종이목재, 운수창고를 제외하고 대부분 파란불을 켰다. 특히 의약품, 증권, 기계 등은 2% 이상 빠졌고 섬유의복, 비금속광물, 음식료품, 의료정밀, 유통업, 통신업, 은행, 금융업, 제조업, 철강금속, 전기가스업 등은 1% 이상 하락률을 나타냈다.

 

시가총액 상위 10곳은 모두 하락 마감했다. 셀트리온이 6% 이상 빠진 가운데 NAVER, SK하이닉스는 2% 이상 약세였다. 이밖에 LG화학, 삼성전자우, 삼성바이오로직스, 카카오, 삼성SDI는 1% 이상 하락했다.

 

이날 거래량은 9억 2921만주, 거래대금은 15조 2448억원 가량을 기록했다. 상한가 2개를 포함해 238종목이 상승했고 하한가 없이 618종목이 하락했다. 보합에 머무른 종목은 48개였다.

 

한편 코스닥은 8.82포인트(1.00%) 떨어져 868.47을 기록했다.

 

 

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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