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오리온, 러시아 시장 공략 강화…800억 들여 신공장 설립

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Thursday, September 10, 2020, 11:09:07

러시아 트베리주와 신공장 투자협정 체결

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ오리온이 러시아 트베리 크립쪼바에 약 800억원을 들여 새로운 공장을 짓습니다. 회사는 이를 통해 현지 제과시장 공략 강화와 중앙아시아 시장 확대에도 나설 예정입니다.

 

10일 오리온에 따르면 회사는 지난 9일(현지 시간) 러시아 트베리 크립쪼바에 위치한 신공장 부지에서 투자 협정식을 진행했습니다. 이번 협정식에는 박종율 오리온 러시아 법인 대표와 이고르 미하일로비치 루데나 러시아 트베리 주지사 및 주요 관계자가 참석했습니다.

 

오리온은 신공장을 건설하며 향후 3년간 51억 2700만 루블(약 800억원)을 투자할 방침입니다. 설계사와 시공사 모두 트베리 지역 업체를 선정하고, 러시아 현지인 고용창출을 통해 지역 경제 발전에 기여한다는 계획입니다.

 

현재 트베리 주 정부는 이번 프로젝트에 매우 적극적인 것으로 알려졌는데요. 각종 유틸리티 공급과 원활한 인허가 진행 지원을 약속한 상황입니다. 또 법인세와 자산세 감면, 왕복 2차선 도로 지원, 공장 근로자 교통편의를 위한 버스정류장, 육교 신설 등 다양한 혜택을 오리온 측에 제공할 예정입니다.

 

이번에 지어지는 공장은 트베리 칼리닌스키 크립쪼바에 사업부지 15만 2252㎡(약 4만 6056평), 연면적 4만 2467㎡(약 1만 2846 평) 규모입니다. 지난 7월에 착공했으며 오는 2022년 완공을 목표로하고 있습니다. 완공 시 초코파이, 비스킷류 6개 라인과 스낵 2개 라인 등이 설치됩니다.

 

오리온은 지난 2017년 러시아 신공장 건립 계획을 발표한 바 있습니다. 공장 착공 전 단계에서 부지 확장성, 물류 인프라, 현지 채용 편의성 등을 고려해 크립쪼바로 부지를 변경하게 됐는데요. 이번에 투자협정을 체결한 현 공장은 기존 트베리 공장 대비 4배 이상 큰 규모로, 생산량을 100억 루블(한화 약 1500억원)까지 확대될 수 있을 것으로 보입니다.

 

앞서 오리온은 1993년에 초코파이를 수출하며 러시아에 진출했습니다. 2006년 트베리 공장 설립 이후 2008년 노보 지역에도 생산 공장을 추가 건설했는데요. 현지에서 초코파이와 초코송이가 큰 인기를 얻고 있는 가운데, 최근 초코파이 신제품과 고소미 등 비스킷 제품들이 판매량 호조를 보이며 올해 상반기에만 매출액 26.5%, 영업이익 105.4% 성장한 바 있습니다.

 

오리온은 신공장 완공 이후 초코파이 공급량을 연간 10억개 이상으로 확대하고 다양한 제품을 생산할 수 있는 비스킷 제품군을 확보해 러시아와 중앙아시아 시장을 공략해 나간다는 계획입니다.

 

오리온 관계자는 “최근 러시아 2개 공장의 케파(capa 생산능력)가 포화상태에 이를 정도로 러시아 법인 매출이 가파르게 성장하고 있다”며 “신공장 건설을 통해 22조 규모의 러시아 제과시장 공략은 물론 중앙아시아까지 시장을 확대해 나갈 것” 고 말했습니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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