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LG, 친환경 촉매·차세대 소재 개발...AI·로봇 기술 혁신 가속화

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Sunday, September 13, 2020, 11:09:00

LG, 캐나다 토론토대∙맥마스터대, 프랑스 에너지∙석유회사 토탈 컨소시엄 결성

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣLG가 친환경 촉매, 차세대 소재 등 화학소재 개발 분야에서 AI와 로봇 기술을 활용한 혁신을 가속화합니다.

 

LG사이언스파크는 지난 11일 캐나다의 토론토대학교와 맥마스터대학교, 프랑스 에너지∙석유회사 토탈(Total)과 함께 ‘AI 기반 소재 개발 컨소시엄(A3MD, The Alliance for AI-Accelerated Materials Discovery)’을 결성하고, 공동연구를 추진키로 했습니다.

 

A3MD는 AI를 활용한 소재 개발 분야에서 글로벌 최고 수준의 학계와 산업계 파트너가 함께 참여하는 세계 최초 AI 연합입니다.

 

LG는 창립 멤버로 참여해 신소재 개발을 위한 AI 선행기술을 확보하는 동시에 소재 분야 AI 석학 등과 함께 공동 연구개발 네트워크 기반을 구축하게 됐습니다.

 

이번 컨소시엄은 ‘친환경 촉매’와 ‘차세대 광학소재’ 개발을 목표로 다양한 AI 모델링 및 자동화 실험 플랫폼 구축 등을 진행합니다.

 

예를 들어 보통 석유화학 공정에서 뽑아내는 에틸렌과 같은 화합물은 공기 중의 이산화탄소로부터도 생산할 수 있는데, 이때 화학반응을 유도하는 촉매를 머신러닝과 자동화 로봇 시스템을 이용해 설계할 수 있다는 것입니다.

 

또한, 전기를 빛으로 변환하는 페로브스카이트(Perovskite)와 같은 차세대 소재도 슈퍼컴퓨터 시뮬레이션과 AI 모델링 등을 통해 개발기간을 앞당기고 발광소재 등으로 활용도를 넓힐 수 있습니다.

 

기존의 소재 연구는 먼저 신규 소재를 발굴한 뒤, 이를 합성하고 물성을 검증하는 과정을 반복해야하기 때문에 신소재 개발에 수년 혹은 십수년의 시간이 소요됐습니다.

 

하지만 AI 기술을 소재 개발에 적용하면 소재 물성에 대한 데이터를 보다 정확하게 파악할 수 있습니다. 또 반복 실험을 거쳐야 하는 기존 연구방법보다 개발 비용이나 기간을 대폭 줄여 고객사별 맞춤형 소재를 보다 빠르게 제공할 수 있습니다.

 

이번 컨소시엄에는 소재 정보학, 계산 화학 및 로봇을 이용한 대규모 실험 자동화 분야의 AI 권위자 토론토대 테드 사전트(Ted Sargent)와 알란 아스푸루구직(Alan-Aspuru-guzik), 맥마스터대 드류 히긴스(Drew Higgins) 등 세계적 교수진이 함께 연구합니다. 에너지 데이터 분석을 위한 AI 솔루션 개발에 적극적인 토탈도 산업계 파트너로 참여합니다.

 

A3MD는 비대면 온라인 화상회의 등을 통해 공동 프로젝트를 진행하면서 생성된 데이터와 알고리즘과 같은 성과를 공유합니다. 앞으로 AI 교육 프로그램, 전문가 포럼, 기업 인턴십 등을 통해 교류를 늘려갈 계획입니다.

 

한편, LG사이언스파크는 인공지능 분야의 선두 주자인 토론토대학교를 비롯한 글로벌 유수 기관들과의 협업을 통해 딥러닝, 머신러닝 등 다양한 연구를 진행하고 있습니다. 지난해 7월에는 토론토대학교와 산업과 물류, 제조 현장에 적용되는 AI 기술 개발을 위해 ‘토론토 기업용 인공지능연구소’를 신설하기도 했습니다.

 

배경훈 LG사이언스파크 AI추진단장은 “LG는 화학소재 분야뿐만 아니라, 다방면에 걸쳐 글로벌 AI의 선두 주자들과의 오픈 파트너십을 통해 내외부 AI역량을 확보하고 우리 주변의 난제들을 해결해 고객의 삶을 바꿀 수 있는 의미 있는 연구를 지속해 나가겠다”고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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