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서울~문산 고속도로 예정대로 11월 완공

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Tuesday, September 15, 2020, 11:09:34

경기 파주와 고양 잇는 35.2㎞ 2~6차선 도로

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ수도권 북부를 잇는 핵심 노선인 서울~문산 고속도로가 당초 계획대로 11월 완공됩니다.

 

서울문산고속도로㈜는 서울∼문산 고속도로 공사의 공정률이 96%를 넘었으며 올해 11월 개통 준비를 마칠 예정이라고 15일 알렸습니다.

 

이 공사는 경기 파주시 문산읍 내포리와 고양시 덕양구 강매동을 잇는 총 길이 35.2㎞의 왕복 2∼6차로 고속도로를 짓는 사업입니다. 서울문산고속도로㈜가 사업시행자, GS건설이 주관사인 총 2조 1971억원 규모의 민자사업인데요.

 

올해 11월 준공되면 모든 시설물은 국가에 기부채납되며, 서울문산고속도로㈜가 이후 30년간 관리운영권을 부여받고 운영하게 됩니다.

 

서울~문산 고속도로는 전북 익산과 문산을 잇는 국가간선도로망계획의 최북단 구간입니다.

 

경기북부 지역은 이 도로를 통해 서울 및 경기남부 접근이 쉬워집니다. 향후 서울~광명 고속도로까지 완공되면 파주~고양~서울~광명~수원~평택으로 이어지는 고속도로축이 완성돼 이 권역에서 1시간 내 이동이 가능해집니다.

 

앞으로 남북경제협력이 본격화되면 이 도로가 서울~개성~평양을 직접 연결하는 고속도로의 핵심구간이 될 가능성도 있습니다.

 

한편 GS건설은 이번 사업을 통해 민자도로사업의 공기 내 완공 경험을 한 차례 더 쌓게 됐습니다. GS건설은 국내 초기 민자도로사업인 수도권 제1순환 북부구간(일산~퇴계원)과 천안~논산 고속도로의 주관사로서 사업을 수행한 바 있습니다.

 

이외에도 GS건설은 제2영동고속도로, 구리~포천고속도로, 상주~영천고속도로, 옥산~오창고속도로와 서울시 강남순환고속도로, 서부간선지하도로, 제물포터널 및 부산시 내부순환(만덕~센텀)도로 등 국가와 지자체의 도로 민자사업 경험을 다수 보유 중입니다.

 

서울문산고속도로㈜ 관계자는 “2003년 GS건설 컨소시엄이 최초 제안한 이후 사업추진 과정에서 수도권 녹지축 훼손 최소화, 국사봉 터널화 등 수많은 난제와 수도권 도심지를 관통하는 어려운 공사여건에도 불구하고 공기 연장 없이 계획 공정을 지켜 온만큼 예정된 11월 준공 일정에 차질 없도록 마지막까지 최선을 다하겠다”고 말했습니다.

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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