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KT, 국가 5G 융합서비스 생태계 활성화 나선다...285억원 투자

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Wednesday, September 16, 2020, 11:09:30

과기부 주도 ‘전국기반 5G융합서비스 테스트베드 구축’ 사업 추진 협력
5G 단말·인프라장비·융합서비스 등..전체 생태계 연구개발·시험·상용화 지원

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣKT가 국가 5G 융합서비스 생태계 활성화에 나섭니다.

 

16일 KT(대표이사 구현모)는 정부와 협력해 ‘전국기반 5G융합서비스 테스트베드’를 구축합니다.

 

이 사업은 중소·벤처기업이 상용 표준 기반의 5G 네트워크 환경에서 커넥티드카, 드론, 스마트팩토리, 미디어 스트리밍 등 다양한 융합서비스를 만들어 낼 수 있는 전국 규모의 5G 테스트베드 환경을 구축하는 것입니다.

 

KT는 “정부와 함께 5G 융합서비스 실증이 가능한 테스트베드를 구축해 대한민국의 중소·벤처·기관·정부가 모두 참여하는 5G 융합서비스 생태계를 조성하려 한다”고 설명했습니다.

 

KT 경제경영연구소에 따르면 5G 상용화로 유발되는 사회경제적 가치는 2030년까지 약 42조원에 달하고, 산업의 모든 영역에서 혁신을 일으켜 4차 산업혁명을 촉발시킬 것이라 전망한 바 있습니다.

 

이를 위해선 5G 네트워크뿐 아니라 기업이 자발적으로 시장에 참여해 융합서비스가 폭발적으로 증가할 수 있는 기반이 마련돼야 한다는 게 KT 측의 설명입니다.

 

이같은 환경을 통해 기업은 다양한 5G 단말과 장비, 서비스를 자유롭게 연구·개발하고 시험·검증하는 등 5G 융합서비스를 상용화 전 주기에 걸쳐 실증할 수 있습니다.

 

올해부터 2023년까지 4년간 추진되며, 총 사업비는 285억 규모입니다. 3GPP 국제표준을 선도 적용하고, KT 상용 5G망과 동일한 수준으로 실증환경을 구현합니다.

 

또 지역별 이용기관 수요를 반영할 수 있도록 판교와 대전, 영남, 호남에 4개 거점이 구축되며, 중심노드와 거점구간은 KOREN(Korea advanced Research Network: 국가 미래 네트워크 선도 시험망)으로 연계됩니다.

 

5G 융합서비스 상용화를 위해 코어망에서 기지국까지 전 주기의 실증이 가능하도록 할 예정입니다.

 

특히 KT는 ‘한국판 뉴딜’의 빠른 실행을 지원하기 위해 올해 테스트베드에 상용망과 동일한 수준으로 5G 코어(Core Network: 핵심망)를 구축할 예정입니다. 또 3.5GHz와 28GHz RAN(무선 액세스망)과 MEC(Multi-Access Edge Computing)까지 구축해 ‘한국판 뉴딜’과 관련한 5G 융합 사업들의 신속한 시험과 인증이 가능하도록 할 계획입니다.

 

또한 중앙과 지방정부 업무망을 5G로 전환하는 ‘정부업무망 모바일화 레퍼런스 실증’과 같은 정부 사업에 대해서도 단말·인프라·융합서비스에 대한 시험 검증을 추진합니다.

 

실제 5G 환경에서 초고속·초연결·초저지연과 같은 5G의 특성이 반영된 종단간 실증을 전국 시험망 기반으로 테스트할 수 있도록 할 예정입니다.

 

한편, KT는 지난 7월부터 한국판 뉴딜 사업의 빠른 실행을 지원하는 ‘한국판 뉴딜 협력 TF’를 운영 중입니다.

 

KT의 ICT 역량을 동원해 디지털 인프라 구축, 비대면 산업 육성, 사회간접자본(SOC) 디지털화 등의 사업을 빠르게 추진할 수 있도록 내·외부 협력체계를 구축했습니다.

 

박윤영 KT 한국판 뉴딜 협력 TF장인 기업부문 사장은 “KT는 전국기반 5G 융합서비스 테스트베드 구축을 통해 중소벤처 기업이 자유롭게 연구할 수 있는 환경을 만들고 5G 산업활성화에 기여할 것”이라며 “앞으로도 KT는 대한민국 5G 융합서비스 생태계 조성을 위해 ICT 역량을 동원해 적극 협력할 예정이다”라고 말했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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