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SK하이닉스, 세계 최초 DDR5 D램 출시

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Tuesday, October 06, 2020, 12:10:58

빅데이터·AI 최적화..초고속·고용량 제품

 

인더뉴스 이진솔 기자 | SK하이닉스가 차세대 규격을 갖춘 DDR5 D램을 세계 최초로 내놓습니다. 지난 7월 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 공개한 차세대 표준 규격입니다. 빅데이터·인공지능(AI)·머신러닝 등에 최적화된 초고속·고용량 제품입니다.

 

SK하이닉스는 6일 세계 최초로 DDR5 D램을 출시한다고 발표했습니다. SK하이닉스는 지난 2018년 11월 16Gb(기가비트) DDR5를 세계 최초로 개발했습니다. 이후 인텔 등 협력사에 시제품을 보내 검증을 완료했습니다. 회사 관계자는 “향후 DDR5 시장이 열리면 언제든지 판매할 수 있게 됐다는 의미”라고 설명했습니다.

 

신제품 전송 속도는 4800Mbps(초당메가비트)에서 5600Mbps입니다. 이전 세대인 DDR4와 견줘 최대 1.8배 빨라졌습니다. 5600Mbps는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 약 9편을 1초에 전달할 수 있는 속도입니다. 동작 전압은 1.2V(볼트)에서 1.1V로 낮아져 전력 소비가 20% 감축됐습니다.

 

칩 내부에 오류정정회로(ECC)를 내장한 점도 특징으로 꼽힙니다. 여러 원인으로 발생하는 오류를 스스로 보정할 수 있다는 설명입니다. SK하이닉스는 이러한 기술을 통해 자사 DDR5를 채용하는 시스템 신뢰성은 약 20배 향상될 것으로 예상했습니다. 여기에 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 더해지면 256GB(기가바이트) 고용량 모듈 구현이 가능합니다.

 

SK하이닉스는 전력 소비를 낮추면서도 신뢰성을 개선한 친환경 DDR5가 데이터센터 전력 사용량과 운영비용을 절감시킬 수 있을 것으로도 기대하고 있습니다. 오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “빠르게 성장하는 프리미엄 서버 시장을 집중적으로 공략해 서버 D램 선도 업체가 가진 위상을 더 공고히 하겠다"고 말했습니다.

 

업계는 DDR5 D램은 오는 2022년 이후부터 본격적인 시장이 조성될 것으로 예상합니다. 시장조사기관 옴디아는 DDR5 수요가 내년부터 발생하기 시작해 2022년에는 전체 D램 시장 10%, 2024년에는 43%로 지속 확대될 것으로 예상했습니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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