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[2020 국감] 은행 채용비리 3년...“부정채용자 41명 여전히 근무”

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Thursday, October 08, 2020, 13:10:32

은행권, 채용점수 조작 사실 확인..대법원 판결에도 후속조치 無
“은행연합회 부정합격자 면직 기준 무용지물..특별법 제정 필요”

 

지난 2017년 국정감사에서 드러난 시중은행의 채용비리 사건의 후속조치가 미흡한 것으로 보입니다. 채용 점수 조작이 사실로 확인돼 대법원 유죄 판결까지 받았지만 은행들은 별다른 조치를 취하지 않았습니다.

 

8일 배진교 정의당 의원이 분석한 은행권 채용비리 관련 재판기록에 따르면 시중 4개 은행에서 유죄에 인용된 부정채용자 61명 중 41명이 그대로 근무 중인 것으로 드러났습니다. 은행들은 채용비리로 인한 피해자 구제 등 후속조치를 하지 않았습니다.

 

금융감독원은 2017년 국회에서 제기된 은행권 채용비리 의혹과 관련해 시중 11개 은행에 대한 검사 결과 22건의 채용비리 정황이 발견됐습니다. 검찰의 수사 결과 7개 은행에서 채용점수 조작 등 부정한 방법으로 채용이 이뤄진 것을 확인됐습니다.

 

2020년 9월 말 기준 우리은행을 포함한 4개 시중은행은 대법원 확정판결이 난 상황이고 신한, 국민, 하나은행은 각각 하급심 재판이 진행 중입니다.

 

대법원의 유죄판결이 확정된 은행들의 부정 채용자 근무현황을 살펴보면 우리은행은 29명이 유죄취지에 인용됐고 이 중 19명이 현재 근무 중입니다. 대구은행은 24명 중 17명, 광주은행은 5명 전원이 근무 중이고 부산은행은 지난 8월까지 근무 중이던 2명의 채용자가 자진퇴사하면서 현재 근무하는 직원은 없는 상태입니다.

 

아직 형이 확정되지 않은 하급심 재판의 경우 신한은행은 26명 중 18명이 근무하고 있습니다. 국민은행과 하나은행은 200~300건의 채용점수 조작에 대해 하급심 재판이 진행중에 있습니다.

 

배진교 정의당 의원은 “2017년 전국을 떠들썩하게 했던 시중은행의 채용비리 문제는 부의 세습을 넘어 일자리 세습이라는 대한민국의 민낯을 보여준 사례였다”며 “이후 은행연합회에서 부정합격자 면직 기준을 만들었지만 무용지물인 상태”라고 말했습니다.

 

전국은행연합회는 2018년 은행의 채용관리 기본원칙과 운영사항을 정한 ‘은행권 채용절차 모범규준’을 만들고 공정한 채용절차를 확립하겠다고 나섰습니다. 모범규준에 따라 부정합격자에 대해서는 은행이 해당 합격자의 채용을 취소하거나 면직할 수 있도록 했습니다.

 

그러나 해당 모범규준이 이미 발생 된 사건에 대해서는 소급 적용할 수 없고, 은행들에게 권고사항일 뿐이라는게 배진교 의원의 설명입니다. 부정합격자가 부정행위에 참여하지 않았을 경우 채용취소가 가능한지에 대한 해석을 은행마다 달라 향후에 적용할 수 있을지 미지수라는 겁니다.

 

배 의원은 “은행장을 비롯한 권력자들이 부정한 방법으로 자녀와 지인 등의 부정 채용에 가담한 것이 밝혀진 지 3년이 지났지만 부정 채용된 이들은 지금도 은행 창구의 자리를 지키고 있다”고 지적했습니다.

 

이어 “앞으로 은행의 자정노력도 중요하지만 제도적으로 피해자를 구제하고 부정채용자에 대한 채용취소를 강제할 수 있는 법적 장치가 마련돼야 한다”며 “정의당 차원에서 채용비리특별법을 발의할 예정”이라고 밝혔습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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