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[2020 국감] 中企에 문턱 높인 은행들...“신용 줄고 담보대출 늘어”

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Monday, October 12, 2020, 09:10:40

중소기업 대상 無담보‧보증 대출 비중 지속 감소
코로나로 올해 신용대출 비중 대기업↑·중소기업↓
“자금 조달 다변화..기술금융 평가 현실화 필요”

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ금융 혁신과 중소기업 지원 확대 기조 속에서 올 상반기 시중은행의 기업대출이 1000조원을 돌파했지만 중소기업 대출의 질은 향상되지 않은 것으로 보입니다. 5년 간 무담보·무보증 신용대출 비중은 줄고 담보 대출은 증가했기 때문입니다.

 

국회 정무위원장 윤관석 의원이 금융감독원을 통해 국내 시중 은행의 2015년 이후 기업 대출 현황을 파악한 결과, 중소기업에 대한 무담보‧무보증 신용대출 비중은 지속적으로 줄어 2015년 30%대였던 비중이 2020년 6월 말 기준 20%대로 떨어진 것으로 집계됐습니다.

 

같은 기간 대기업의 신용대출 비중도 감소했지만 여전히 60% 중반대를 유지하고 있습니다. 윤 위원장은 기업 간 신용도 차이를 감안한다고 해도 20% 중반대에 불과한 중소기업과 크게 다른 양상을 보이고 있다고 지적했습니다.

 

윤 위원장은 “중소기업의 신용대출은 감소하고 담보대출 비중은 50%대에서 60%대로 올랐다”며 “‘비올 때 우산 뺏기’, ‘땅 짚고 헤엄치기’라는 비판을 야기했던 담보 위주의 대출 관행이 갈수록 심화되고 있는 것으로 확인됐다”고 설명했습니다.

 

올해 코로나19로 기업들의 자금 수요가 높아지자 대기업 대상 신용대출 비중은 다시 증가했고 중소기업의 신용대출 비중은 작년 25.9%에서 올해 25.2%로 감소했습니다. 다만 정부 정책 보증 확대에 힘입어 보증부 대출 비중이 2% 증가한 영향도 있는 것으로 분석됩니다.

 

시중 은행별 중소기업 대출 중 신용대출 비중은 6월 말 기준 우리은행이 39.4%로 가장 높았습니다. KB국민은행이 17.3%로 가장 낮았고 2015년 이후 감소폭이 가장 큰 곳은 하나은행이었습니다.

 

중소기업 지원 정책금융기관인 중소기업은행의 신용대출 비중은 6월 기준 18.9%를 기록했습니다. 이는 시중은행의 전체 비중인 25.2%를 밑도는 수준으로 매년 1~3%씩 감소한 결과입니다.

 

금융위원회에 따르면 기술금융도 비슷한 양상을 보입니다. 무담보‧무보증 순수 기술신용대출과 정부의 기술보증기관 보증대출도 2016년 이후 매년 비중이 줄어들고 있습니다. 반면 담보를 낀 기술대출의 비중이 매년 증가하고 있는 실정입니다.

 

윤관석 정무위원장은 “일정 수준 이상의 건전성을 유지해야 하는 은행들 입장에서는 늘어나는 기업 자금 수요에 부응하려면 담보권 설정이나 정책보증 입보가 불가피할 수 있다”면서도 “어쨌든 중소기업에 대한 은행 문턱을 낮추기 위해 다양한 방법을 강조하고 있지만 현실은 기대에 못 미치는 상황”이라고 말했습니다.

 

이어 “담보력이 미약한 신생 기업들은 VC투자 같은 직접금융 쪽으로 중소기업 자금 조달 수단을 보다 다변화하고, 은행의 기술금융 평가도 보다 현실화해야 한다”며 “중소기업 금융 정책 개선에 금융당국이 더욱 노력해야 한다”고 덧붙였습니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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