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SK하이닉스, ‘IDC DX 어워드 2020’서 3개 부분 수상

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Tuesday, October 13, 2020, 10:10:51

IT 시장분석 및 컨설팅 기관서 주관한 행사..20일 시상식 진행

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK하이닉스가 ‘IDC 디지털트랜스포메이션(DX) 어워드 2020’에서 총 10개 부문 중 3개 부문의 한국 수상사로 13일 선정됐습니다.

 

IDC DX 어워드는 IT 시장분석 및 컨설팅 기관인 IDC(International Data Corporation)이 주관하는 행사로 올해는 코로나19 팬데믹이라는 위기 상황 속 디지털 혁신을 주도해 비즈니스 연속성을 확보하고 뉴노멀 시대를 준비한 기업들이 수상사로 선정됐습니다.

 

SK하이닉스는 대상격인 ‘디지털 트랜스포머’ 부문을 반도체 업계 최초로 수상했습니다.

 

현재 SK 하이닉스는 ‘구성원의 행복을 향한 DT(Digital Transformation)’을 비전으로, 반도체 제조업에 맞는 DT플랫폼을 확보해 업무 생산성을 파괴적으로 혁신하는 전략을 추진 중입니다. 또한, 빅데이터 분석 기술과 AI 기술을 활용해 제조 장비의 막대한 정보를 활용하는 의사 결정 모델을 구축하고 있습니다.

 

또 실시간 대화형 협업 플랫폼 CUBE, 인재 운용(Talent Accelerator) 부문도 수상했습니다.

 

SK하이닉스는 실시간 대화형 협업 플랫폼인 CUBE를 구축해 협업 체계의 혁신을 구현했습니다. CUBE는 PC, 모바일 및 다양한 디바이스를 연결하여 언제 어디서나 소통과 협업이 가능하며, Open API로 연결된 생태계를 확보해 정보 유통의 효율을 극대화한 플랫폼입니다.

 

CUBE는 다양한 오픈소스 및 컨테이너 기술을 적용하고 자연어 처리, 챗봇, 빅데이터, 전자문서 관리시스템, 검색 엔진 등 최신 IT 기술을 적극 도입했으며, 마이크로 서비스 아키텍처(MSA) 및 클라우드 기술을 적용한 서비스로 IT 기술 측면에서도 성공적인 선도 사례입니다

 

마지막으로 제조향 클라우드 구축 프로젝트, 운영 모델 마스터(Operating Model Master) 부문도 인정받았습니다.

 

반도체 공정 현황에 대한 모니터링과 생산 자동화에 대한 업무 처리를 즉각적으로 할 수 있는 환경이 요구되고 있습니다. 이에 발맞춰 SK하이닉스는 반도체 FAB 공장에 필요한 첨단 기술과 유연한 인프라 환경의 구현을 위한 제조향 클라우드를 구축하고 있습니다.

 

IDC는 오는 20일 IDC 디지털 트랜스포메이션 서밋을 버츄얼로 개최하고 2020년 IDC 어워드 국내 시상식을 진행할 예정입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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