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SCM생명과학, ‘척수소뇌성 실조증’ 줄기세포 치료제 기술 도입

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Wednesday, October 14, 2020, 09:10:40

인더뉴스 박경보 기자ㅣSCM생명과학(298060)이 대만의 주요 바이오벤처와 손잡고 척수소뇌성 실조증(SCA) 줄기세포치료제 기술을 도입하고 국내에서 임상시험에 나선다.

 

SCM생명과학은 대만의 줄기세포 바이오기업 스테미넌트와 손잡고 기술도입에 관한 라이선스 계약을 체결했다고 14일 밝혔다. 이에 따라 SCM생명과학은 스테미넌트의 줄기세포치료제 관련 기술 개발 및 상용화에 대한 독점적 권한을 확보하게 됐다.

 

해당 파이프라인은 2015년 미국 FDA로부터 척수소뇌성 실조증 치료를 위한 희귀의약품 지정을 받았다. 또한 2016년 일본 세포치료제 기업인 리프로셀에게 일본 시장에 대한 라이선스 아웃 후, 일본 의약품의료기기종합기구(PMDA)에서 희귀의약품으로 지정받아 임상이 진행 중이다.

 

이번 라이선스 계약으로 SCM생명과학은 보다 신속하게 척수소뇌성 실조증으로 고통받는 환자들에게 치료의 가능성을 열어놓게 됐다. 척수소뇌성 실조증은 인체 내 운동을 총괄하는 소뇌 기능이 손상되면서 근육 위축, 강직 증상, 시력감퇴, 말초신경병증 등 다양한 증상을 보이다가 결국에 사망에 이르는 퇴행성 신경계 질환이다.

 

해당 질환을 앓고 있는 환자는 전세계적으로 약 30만 명으로 추산된다. 이 중 국내 환자는 약 4000명으로 추산되지만 치료제 개발에 대한 막연한 기대감으로 버텨나가는 중이다. 지난 2018년에는 청와대 청원게시판에 ‘소뇌위축증, 다계통위축증을 위한 약과 인프라가 절실하게 필요합니다’ 라는 글이 올라오며 환자 및 가족들의 절박함을 보여주기도 했다.

 

이병건 SCM생명과학 대표는 “미국, 일본시장에서 가능성을 인정받은 스테미넌트의 척수소뇌성 실조증 줄기세포치료제를 공동으로 개발하고 뇌질환 관련 포트폴리오를 확대하게 돼 기쁘게 생각한다”며 “빠른 시간에 개발을 끝마치고 치료를 기다리고 있는 국내 환자들에게 희망을 줄 수 있기를 기대한다”고 말했다.

 

지난 8월 28일부터 첨단바이오의약품의 개발을 촉진하는 첨단재생바이오법(첨생법)이 시행됨에 따라 이 치료제는 희귀의약품으로 지정받아 임상 2상 완료 후 이르면 2023년부터 조건부 품목허가를 받아 시판에 들어갈 수 있다.

 

SCM생명과학은 척수소뇌성 실조증을 바탕으로 파킨슨 병, 뇌졸중 등 다양한 뇌신경계질환까지도 파이프라인을 확장해나간다는 계획이다.

 

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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