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카드사, 줄 잇는 장기 기업어음(CP) 발행...‘우선 현금부터’

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Friday, October 30, 2020, 17:10:15

롯데·현대·삼성, 만기 3~4년 CP로 자금조달
상환 기간 길어야 ‘자금 경색’ 국면서 유리
금융당국 권고..타 금융권 리스크 전이 우려

 

인더뉴스 전건욱 기자ㅣ카드사들이 이달 들어 만기 3년 이상의 장기 기업어음(CP) 발행을 늘리고 있습니다. 만기 구조를 다변화하고, 조달 통로를 분산해 안정적으로 자금을 구하려는 의도로 풀이됩니다.

 

30일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 현대카드는 지난 28일 만기 3~3.5년의 장기 CP 3000억원어치를 발행했습니다. 롯데카드도 같은 날 총 2500억원을 장기 CP로 조달했습니다. 만기는 3년입니다.

 

앞서 27일에는 신한카드가 1000억원 규모의 만기 3~4년짜리 장기 CP를 발행했습니다. 신한카드는 이달 13일에도 장기 CP를 통해 1000억원을 구했습니다.

 

이들의 공통점은 만기 3년 이상 자금을 구하면서 CP를 활용했다는 점입니다. 통상 CP는 급전이 필요할 때 쓰입니다. 그래서 만기가 1년 미만인 경우가 많습니다.

 

그럼에도 CP가 장기로 발행된 이유는 갑작스러운 자금조달 경색에 대응하기 위해섭니다. 사실 만기가 짧을수록 금리도 낮아 3년짜리를 한 번 찍는 것보다 1년 만기로 세 번 발행하는 게 비용 측면에서 낫습니다.

 

하지만 코로나가 본격화된 지난 3월 실적 악화를 우려하는 기관들의 수요가 줄면서 운전 자본을 제때 구하지 못하는 상황을 겪자 긴 기간 안전하게 자금을 쓸 수 있도록 포트폴리오를 짜는 게 더 유리하다고 판단한 겁니다.

 

카드사 관계자는 “단기로 자금을 구할 시 자금시장이 얼어붙으면 차환이 어려워질 수 있다”며 “안정성이 최우선인 금융기관은 만기를 다양하게 가져가는 방식으로 자금을 조달하는 게 전략적”이라고 말했습니다.

 

그렇지만 의문은 남습니다. 3년 넘게 쓸 돈이 필요하다면 회사채로 구할 수도 있기 때문입니다. 카드사들은 금융당국의 권고에 따른 거라는 입장입니다.

 

다른 카드사 관계자는 “자금조달 구조를 다변화하라는 당국의 지침이 있었다”며 “회사채로 조달 경로가 치우치면 인수기관에서 문제 발생 시 카드사로 위험이 옮겨붙을 수 있다는 우려 때문인 것으로 안다”고 말했습니다.

 

실제 올 2분기 기준 7개 전업카드사는 전체 자금의 61%를 채권 발행으로 충당하고 있습니다.

 

일부에선 최근 CP 수요가 늘고 있는 점도 한 몫했다고 분석합니다. 카드업계 관계자는 “같은 만기 구조에선 CP가 회사채 금리보다 높은 게 일반적인데 최근 시장 흐름을 보면 거의 비슷한 수준”이라며 “CP 수요가 충분하다는 걸 방증하는 사례”라고 말했습니다.

 

그러면서 “안정적인 자금 융통을 원하는 공급측 요인과 장기 CP를 찾는 수요측 요인이 맞물리면서 이 같은 흐름은 당분간 이어질 것”이라고 전망했습니다.

 

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전건욱 기자 gun@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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