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유인 ‘드론택시’, 국내 첫 비행...서울 여의도~한강 상공 누벼

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Wednesday, November 11, 2020, 14:11:44

중국 이항사 기체, 해발 50m 상공 7분간 이동

 

[인더뉴스] 이재형 기자ㅣ사람을 태운 채 이동하는 ‘드론택시’가 국내 첫 비행을 무사히 마쳤습니다. 서울시와 국토부는 이번 경험을 바탕으로 하늘을 이동통로로 활용하는 도심 항공 모빌리티(UAM, Urban Air Mobility) 인프라 육성에 나설 계획입니다.

 

서울시와 국토교통부는 11일 “도시, 하늘을 열다”라는 부제의 ‘도심항공교통 서울실증 행사’를 공동개최했습니다. 유인드론이 날아오르는 국내 첫 행사입니다.

 

이날 중국 드론 업체 이항(Ehang)의 유인드론인 EH216 1기는 오전 10시 55분께 서울 마포대교 남단 한강시민공원에 떠올라 약 7분간 비행했습니다. 실제로 사람 2명이 탑승할 수 있는 드론이지만 안전을 위해 20㎏짜리 쌀포대 4개를 싣고 운행했는데요.

 

8개의 프로펠러를 장착한 무게 200㎏, 높이 1.77m의 이 기체는 10여초만에 지상을 박차고 해발 50m 상공에 수직으로 떠오른 뒤 서강대교와 밤섬, 마포대교 일대 1.8㎞ 구간을 2바퀴(총 3.6km) 돌았습니다. 이항사에 따르면 드론 택시는 최대 시속 130㎞로, 여의도에서 인천국제공항을 20분 만에 주파할 수 있습니다.

 

 

서정협 서울시장 권한대행은 “인류가 꿈꾸던 미래 교통수단인 ‘드론 택시'를 세계적인 혁신의 테스트베드인 이곳 서울에서 대한민국 최초로 선보이게 되어 매우 기쁘게 생각한다”며 “서울시는 하늘을 날고자 했던 인류의 영원한 꿈이 서울시민의 현실로, 안전하고 편안한 일상으로 안착하고 대한민국의 미래 먹거리 산업을 육성하기 위해 선도적인 노력과 투자를 아끼지 않겠다”고 말했습니다.

 

이외에도 이번 행사에는 현대자동차, 한화시스템즈 등 7개 국내외 업체와 대학 등이 드론택시용 개발기체 모형을 전시했습니다. 현대차는 2028년까지 8인승 드론택시 기체를 제작해 상용화한다는 계획입니다. 한화시스템즈는 미국 오버에어社에 2500만 달러를 투자, 기체를 개발하고 있습니다.

 

이번 비행 실증은 국토부가 ‘한국형 도심항공교통(K-UAM) 로드맵’의 제도적 기반을 정비하고 서울시가 드론택시 등 인프라를 투입해 성사됐습니다. 시는 내년부터 이 드론으로 서울과 타 지자체에서 추가 비행시연을 진행할 예정입니다.

 

국토부는 국내기업들에게 eVTOL 등 신기술이 적용된 드론택시 기체의 비행기회를 지속 제공하고 상용화를 위한 합리적인 제도를 마련할 계획입니다. 김현미 국토교통부 장관은 “2025년 상용화를 위해 로드맵에서 밝힌 과제를 산학연관 협업으로 차질없이 이행해 나가겠다”고 말했습니다.

 

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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