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“미중 갈등 환경 고려한 신산업 전략 필요”

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Wednesday, July 17, 2019, 18:07:58

KISTEP 세미나 열어..무역분쟁에 따른 환경변화 발생
블록화에 따른 미중 양자택일 상황 발생 가능성 제시

인더뉴스 이진솔 기자ㅣ미국과 중국 간 무역전쟁으로 변화하는 통상 환경에 맞춘 신산업 정책이 필요하다는 주장이 나왔다.

 

한국과학기술기획평가원(KISTEP)은 17일 서울 서초구 KISTEP 국제회의실에서 ‘미·중 기술패권 전쟁에서 우리나라가 나아가야 할 방향’ 세미나를 열었다.

 

장석인 산업연구원 선임연구위원은 “중국이 일부 신산업 분야에서 미국을 제칠 것으로 분석되며 기존과 다른 첨단 기술경쟁 상황이 전개될 것으로 예상된다”며 “이에 따라 우리나라 미래성장동력 발굴 육성전략과 정책을 새롭게 정립할 필요가 있다”고 말했다.

 

 

미·중 기술패권 경쟁은 고성능 컴퓨팅 인공지능 반도체 5G 통신기술 등 첨단 ICT 분야에 집중되고 있다. 중국은 슈퍼컴퓨터 분야에서 지난 2017년 1위와 2위를 가져간 바 있고 국가적으로 인공지능 육성 정책을 펼치는 등 미국과 기술격차를 크게 줄였다.

 

미국은 주로 관세 등 무역 규제를 동원하고 있다. 이에 따라 자유무역이 일반적이었던 세계 통상환경도 지정학적 변화를 일으키고 있다. 전문가들은 우리 신산업 전략이 무역전쟁이 흘러가는 방향과 변화된 무역 환경을 고려해 조정되야한다고 설명한다.

 

새로운 표준과 가치사슬이 아직 굳어지지 않은 신산업 분야에서 미국과 중국으로 이원화된 시장 블록화(지역화)가 발생할 가능성도 제기됐다. 알리바바와 바이두 등 중국 IT 기업은 본토 시장에서 성장한 경험이 있어 블록화에 크게 반대하지 않고 이러한 흐름을 받아들일 수 있다.

 

국내 기업은 특정 기업과 협업하거나 기술을 도입할 때 미국과 중국 중 하나를 선택해야 하는 상황에 직면할 수 있다. 지만수 금융연구원 선임연구위원은 “블록화된 무역 환경은 넓은 영역에서 다각화된 사업을 영위하는 기업에 불리하다”고 말했다.

 

미·중 무역전쟁과 기술패권 경쟁 진행 상황을 검토해 신기술 투자에 나서야 한다는 주장도 나왔다. 기존에는 시장성과 유망성을 기준으로 미래 성장동력을 발굴했다면, 무역전쟁으로 인해 새롭게 나타나는 기회들도 활용해야 한다는 것이다.

 

장석인 선임연구위원은“신산업 정책을 수립하는 과정에서 마지막 전선에서 싸우는 기업을 놓치고 있었다”며 “변화된 경쟁상황에 맞는 장기적 전략이 제시돼야 한다”고 말했다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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