검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

Major Company 대기업

구본준 고문, LG그룹서 독립...상사·판토스·하우시스 계열 분리

URL복사

Monday, November 16, 2020, 16:11:52

26일 이사회 열고 LG상사·LG하우시스·판토스 등 계열 분리 결정

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣLG그룹이 이달 말 이사회를 열고 구본준 LG그룹 고문이 거느리고 있는 LG상사와 LG하우시스, 판토스 등의 계열 분리를 추진할 것으로 보입니다.

 

구 고문은 고(故) 구자경 LG 명예회장의 셋째 아들이며, 고 구본무 LG 회장의 동생입니다.

 

16일 재계에 따르면 LG는 이달 26일 이사회를 열어 이 같은 계열 분리안 등 이사회 안건들을 결정할 것으로 전해졌습니다.

 

구광모 현 LG 회장이 2018년 그룹 회장에 취임하면서 LG 안팎에서는 끊임없이 구 고문의 계열 분리 가능성이 제기돼왔습니다.

 

고문은 LG 지주사인 (주)LG 지분 7.72%를 보유하고 있습니다. 이 지분의 가치는 약 1조원 정도로 평가되는데요. 구 고문은 이 지분을 활용해 LG상사와 LG하우시스 등의 지분을 인수하는 형태로 독립할 것으로 보입니다.

 

앞서 LG상사는 지난해 LG그룹 본사 건물인 여의도 LG트윈타워 지분을 ㈜LG에 팔고 LG광화문 빌딩으로 이전했습니다. 또 구광모 회장을 비롯한 오너 일가는 LG상사의 물류 자회사인 판토스 지분 19.9%도 매각하는 등 계열 분리 사전작업을 해왔습니다.

 

현재 지주회사인 ㈜LG는 LG상사 지분 25%, LG하우시스 지분 34%를 쥔 최대 주주입니다. LG상사는 그룹의 해외 물류를 맡는 판토스 지분 51%를 보유하고 있습니다. 구 고문은 2007년부터 3년간 LG상사의 대표이사를 지낸 바 있습니다.

 

이번에 계열에서 분리할 LG상사의 시가총액은 7151억원, LG하우시스는 5856억원입니다.

 

현재 구 고문이 보유한 ㈜LG 지분을 ㈜LG가 보유하고 있는 LG상사·LG하우시스 지분과 교환하는 스와프 방식으로 진행될 것으로 보입니다. 재계 안팎에서는 계열분리 회사의 규모가 작다는 점에서 LG 안팎에서는 반도체 설계 회사인 실리콘웍스와 화학 소재 제조사 LG MMA의 추가 분리 전망도 나옵니다.

 

한편, LG그룹은 이달 25일과 26일 열리는 계열사 이사회에서 주요 경영진 인사안을 확정합니다. 이번 LG하우시스와 LG상사 등 계열 분리로 임원 인사폭이 커질 수 있다는 전망도 나옵니다.

 

특히 계열사 부회장단 인사가 주목됩니다. 이달 26일 (주)LG의 권영수 부회장과 LG유플러스 하현회 부회장, LG생활건강 차석용 부회장, LG화학 신학철 부회장 등 부회장 등의 유임 여부가 결정될 예정입니다.

 

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

More 더 읽을거리

권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너