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삼성전자, ‘C랩 아웃사이드’ 지원할 스타트업 18개사 선정

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Wednesday, November 18, 2020, 11:11:00

공모전 통해 다양한 분야 신규 스타트업 선정
501개 중 최종 18개 스타트업 선발·28대 1 경쟁률 기록

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자가 공모전을 통해 다양한 분야의 신규 스타트업을 선정했습니다. 새롭게 선정된 스타트업은 향후 1년간 삼성전자의 전폭적인 지원을 받게 됩니다.

 

18일 삼성전자에 따르면 ‘C랩 아웃사이드’ 공모전을 통해 선발된 18개 신규 스타트업을 공개했습니다.

 

이번 ‘C랩 아웃사이드’는 삼성전자가 지난 8년간 운영한 사내벤처 프로그램인 ‘C랩’의 노하우를 사외로 확대해 국내 스타트업 생태계 활성화에 기여하기 위해 지난 2018년부터 진행하고 있는 외부 스타트업 육성 프로그램입니다.

 

지난 8월부터 ‘고객에게 새로운 경험을 주는 제품과 서비스(Innovation for New Experience)’를 주제로 진행된 이번 공모는 코로나19 상황을 감안해 전 과정을 비대면으로 진행했음에도 501개 스타트업이 지원해 28대 1의 경쟁률을 기록했습니다.

 

이번에 선발된 스타트업은 착한 기술을 가진 스타트업부터 AI·헬스케어·딥테크·콘텐츠 서비스까지 다양한 사업 분야에서 선발됐습니다.

 

주요 스타트업은 ▲ AI 기반 학습 데이터를 크라우드 소싱으로 수집하는 플랫폼 ‘셀렉트스타’ ▲ 트레이너와 회원간 양방향 인터랙션이 가능한 라이브 홈트레이닝 서비스 ‘꾸내컴퍼니’ ▲ 원격으로 전문가의 심리 상담을 받을 수 있는 모바일 상담 플랫폼 ‘아토머스’ 등입니다.

 

특히 ▲ 시각장애인들이 편리하게 온라인 쇼핑을 할 수 있도록 돕는 배리어 프리(Barrier-free) 플랫폼 ‘와들’ ▲ 음성·안구 패턴·촉각 분석을 통해 치매를 진단하고 예방하는 비대면 서비스 ‘실비아헬스’등 착한 기술로 사회에 기여가 가능한 스타트업 4곳도 선정됐습니다.

 

‘C랩 아웃사이드’로 선발된 스타트업은 1년간 ▲ 삼성전자 서울 R&D캠퍼스 내 전용 사무공간 ▲ 삼성전자 전문가 멘토링 ▲ 국내외 IT 전시회 참가 ▲ 최대 1억원의 사업지원금 등을 받을 수 있습니다.

 

또, 삼성전자는 1년의 육성 기간이 종료되면 스타트업의 투자 유치와 사업 협력 기회 발굴을 위해 스타트업 대표, 투자자, 삼성전자 관계자가 참석하는 ‘데모데이’도 개최합니다.

 

올해는 ‘스타트업과 삼성전자가 함께하는 혁신, 크리에이트, 그레이트(Create, Great)’를 주제로 12월 2일 온라인 데모데이를 엽니다.

 

지난 1년간 지원 받은 20개의 스타트업이 투자자 유치를 위해 제품과 서비스를 소개하고 사업 성과를 발표할 예정입니다.

 

스타트업과 혁신 기술에 관심이 있는 사람이라면 누구나 18일부터 12월 1일까지 행사 웹사이트에서 사전 등록 후 참여할 수 있습니다.

 

한편, 삼성전자는 2018년부터 5년간 C랩을 통해 사내 임직원 스타트업 과제(C랩 인사이드) 200개, 외부 스타트업 육성(C랩 아웃사이드) 300개 등 총 500개의 사내외 스타트업 과제 육성을 발표한 바 있습니다.

 

삼성전자는 CSR 비전 ‘함께가요 미래로! Enabling People’ 아래 C랩 아웃사이드, 삼성미래기술육성사업, 스마트공장, 협력회사 상생펀드 등 상생 활동과 청소년 교육 사회공헌 활동을 이어오고 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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