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호암 이병철 33주기 추도식 찾은 이재용 “사업보국 창업이념 발전시키자”

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Thursday, November 19, 2020, 14:11:26

용인 선영에서 오전 11시에 호암 이병철 33주기 추도식 열려

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ이재용 삼성전자 부회장은 19일 용인 선영에서 열린 호암 이병철 삼성 선대회장의 33주기 추도식에 참석했습니다.

 

지난달 25일 이건희 삼성 회장 별세 이후 3주 만에 열린 선대회장 추도식에서 이 부회장은 삼성의 뉴비전을 제시한 것으로 알려졌습니다.

 

이번 추도식에는 이 부회장과 홍라희 삼성미술관 리움 전 관장, 이부진 호텔신라 사장, 이서현 삼성복지재단 이사장 등 가족과 삼성전자, 삼성물산, 삼성생명 등 전 계열사 사장단 50여 명이 참석했습니다.

 

이 부회장과 오너일가는 오전 11시경 선영에 도착해 추도식에 참석했고, 이 후 이 부회장은 선영 바로 옆에 위치한 삼성인력개발원 호암관에서 사장단과 오찬을 함께 했습니다.

 

이재용 부회장은 고 이건희 회장 장례시 함께 해 준 사장단에 감사 인사를 한 후 “늘 기업은 국민경제에 도움이 돼야 하며, 사회에 희망을 드릴 수 있어야 한다고 가르치셨던 회장님의 뜻과 선대회장님의 사업보국 창업이념을 계승 발전시키자”고 말했습니다.

 

한편, 이 부회장은 부친 장례식 이후에도 꾸준히 현장 경영을 이어오고 있습니다. 지난 12일 삼성전자 서울 R&D 캠퍼스를 방문해 디자인전략회의를 직접 주재했습니다. 이 부회장은 “디자인에 혼을 담아내자”며 “다시 한 번 디자인 혁명을 이루자”고 강조했습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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