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삼성, ‘2020 애뉴얼 포럼’ 열어...기초과학·소재·ICT 연구 성과 공유

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Friday, November 20, 2020, 13:11:37

연구책임자∙심사위원 등 500여명 온라인으로 참석..연구 과제 발표·토론 진행
수리과학∙물리∙화학∙생명과학반도체∙디스플레이컴퓨팅∙로봇 등 연구 분야

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자는 삼성미래기술육성사업을 통해 지원하는 연구진들이 서로 성과를 공유하고 토론을 통해 아이디어를 교환하는 ‘2020 애뉴얼 포럼’을 열었습니다.

 

20일 삼성전자에 따르면 이번 ‘2020 애뉴얼 포럼’은 코로나19 상황을 감안해 20일부터 27일까지 온라인으로 진행됩니다. 애뉴얼 포럼은 삼성미래기술육성사업의 연구책임자가 연구 성과와 주요 이슈를 설명하고, 참석 연구자들과 토론을 통해 새로운 아이디어를 얻는 자리로 2014년부터 진행하고 있습니다.

 

이번 '애뉴얼 포럼'에는 ▲ 수리과학∙물리∙화학∙생명과학 등 기초과학 연구 분야 ▲ 반도체∙디스플레이∙바이오∙에너지∙환경 등 소재 연구 분야 ▲ 컴퓨팅∙로봇∙기계학습∙헬스케어∙세포연구∙광학 등 ICT 연구 분야의 연구책임자, 심사위원 등 500여명이 참석해 총 85개 과제에 대한 연구 교류를 진행합니다.

 

첫날 포럼에서는 기초과학 분야 24개 연구 과제에 대해 연구책임자의 발표와 참석 연구자, 심사위원들의 토론이 이어졌습니다. 김성근 삼성미래기술육성재단 이사장은 영상으로 송출된 환영사에서 “순수한 배움의 문화가 꽃피는 자리인 애뉴얼 포럼이 치열한 토론과 아이디어 교환을 통해 연구자 스스로가 더욱 발전하는 계기가 되기를 희망한다”고 말했습니다.

 

수리과학 분야에서 첫 번째 발표자로 나선 고등과학원 수학부 오성진 교수는 일반상대성 이론에 대한 비선형쌍곡방정식 연구로부터 도출된 아이디어를 플라즈마 상태의 홀-자기유체역학 분야에 적용한 결과를 소개했습니다.

 

또한, 화학 분야 발표자인 서울대학교 화학부 이동환 교수는 자기조립을 통해 1차원 기둥 모양의 나노와이어 구조가 만들어지는 원리를 설명하고, 구조와 나노와이어를 통한 에너지 전달 등 기능 사이의 상관 관계에 대한 최신 연구 결과를 공유했습니다.

 

삼성전자 미래기술육성센터 음두찬 센터장은 “반도체∙에너지∙인공지능∙로봇∙환경 등 광범위한 분야에서 연구 성과를 축적하고 있는 참여 연구자들에게 감사를 표현다”며 “차곡차곡 쌓이고 있는 삼성미래기술육성사업의 연구 성과가 향후 우리 사회가 맞닥뜨리게 될 다양한 문제를 해결하는 기반이 될 것으로 기대한다”고 언급했습니다.

 

삼성미래기술육성사업은 우리나라의 미래를 책임지는 과학 기술 육성을 목표로 2013년부터 1조 5000억원을 출연해 시행하고 있는 연구 지원 공익 사업입니다.

 

지금까지 총 634건의 연구과제에 8125억원의 연구비가 지원됐습니다. 한편, 삼성전자는 CSR 비전 ‘함께가요 미래로! Enabling People’ 아래 삼성미래기술육성사업, 스마트공장, C랩 아웃사이드, 협력회사 상생펀드 등 상생 활동과 청소년 교육 사회공헌 활동을 진행하고 있습니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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