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쌍용양회, 담합 과징금 처분 취소소송서 공정위에 최종 패소

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Monday, November 30, 2020, 14:11:16

6개 업체 시멘트 가격 담합 혐의..과징금 874억 확정

 

인더뉴스 이재형 기자ㅣ시멘트 담합을 이유로 공정거래위원회로부터 874억원의 과징금 처분을 받았던 쌍용양회가 이에 반발해 제기한 취소소송에서 최종 패소했습니다.

 

30일 법조계에 따르면 대법원 3부(주심 김재형 대법관)는 쌍용양회가 공정위를 상대로 낸 상고심 소송에서 상고를 기각하고 원고 패소를 판결했던 원심을 확정했습니다. 

 

쌍용양회는 2011~2013년 동양시멘트, 성신양회, 아세아, 한일시멘트, 현대시멘트와 담합한 혐의를 받았습니다. 이들 6개 회사는 2011년부터 당시 76.4%에 달했던 국내 시멘트 시장점유율을 조정하기로 합의했습니다.

 

또 2011년 1톤 당 4만 6000원이던 1종 벌크시멘트의 가격을 1년만인 2012년에 6만 7500원으로 43%가량 올렸습니다. 대형 레미콘 회사들이 인상된 가격을 수용하지 않자 시멘트 공급을 중단하기도 했습니다.    

 

공정위는 이들 6개 회사들이 부당한 공동행위를 했다고 보고 2016년에 총 1994억원의 과징금을 부과했습니다. 특히 쌍용양회에는 가장 많은 874억여원을 부과했는데, 직원들이 자료가 담긴 PC 하드디스크를 망치로 부수는 등 공정위 조사를 방해하고 고위 임원이 사건에 직접 개입했다는 이유로 가중된 액수입니다.

 

이에 쌍용양회는 공정위가 과징금을 가중해 고시한 것이 공정거래법에 근거가 없고 과징금 액수가 비례 및 형평의 원칙을 위반했다고 주장하며 소송을 제기했습니다. 

 

그러나 원심인 서울고등법원은 공정거래법이 공정위에게 과징금을 가중 고시할 사유를 포괄적으로 규정하고 재량을 주었기 때문에 무효라고 볼 수 없다고 보고 공정위의 손을 들어줬습니다. 과징금 부과 기준이 된 관련 매출액 산정, 부과기준율 결정 과정도 문제가 없다고 판단했습니다. 

 

대법원도 원심 판단에서 법리를 오해한 잘못이 없다고 봤습니다. 대법원 재판부는 “공정거래법은 과징금 산정 때 고려해야 할 참작 사유를 포괄적·예시적으로 규정하고 구체적인 고려사항과 세부기준은 공정위 고시에 위임하고 있다”며 “사건 고시조항은 헌법이나 법률에 합치되지 않거나 객관적으로 합리적이라고 볼 수 없어 재량권을 남용한 것이라고 인정되지 않는 이상 존중돼야 한다”고 밝혔습니다. 

 

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이재형 기자 silentrock@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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