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코스피, 2731로 마감...종가 기준 사상 최고치

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Friday, December 04, 2020, 17:12:35

환율 1080원대 마감..하락세 지속

 

인더뉴스 남궁경 기자ㅣ코스피가 사상 처음 2700선을 돌파하며 역대 최고치를 기록한 채 마감했습니다.

 

4일 코스피는 전날 종가보다 35.23포인트(1.31%) 오른 2731.45에 장을 마감했습니다. 전날 세운 종가 기준 사상 최고치 기록(2696.22)을 하루 만에 다시 경신한 건데요. 코스피는 지난 1일 이후 사흘 연속 사상 최고치 기록을 갈아치우고 있습니다.

 

이날도 외국인의 매수세가 강했습니다. 외국인은 7666억원을 순매수했고, 개인과 기관이 각각 3470억원, 기관은 4104억원을 순매도했습니다.

 

이날 외국인 순매수는 의약품(3024억원), 전기·전자(1664억원)에 집중됐습니다.

 

이경민 대신증권 연구원은 "외국인이 삼성전자와 SK하이닉스를 순매수하며 증시 강세를 주도했고, 의약품, 서비스업 등 기존 주도업종에도 순매수세가 가세해 지수 상승에 기여했다"고 말했습니다.

 

시가총액 상위 종목 가운데선 시총 1·2위인 삼성전자(+2.58%)와 SK하이닉스(+3.14%)가 마이크론 테크놀러지의 대만 생산라인 화재 소식에 2%대 이상 상승했습니다. 셀트리온(+8.26%), POSCO(+5.57%), 카카오(+4.14%)도 외국인 매수세가 집중되며 급등했습니다.

 

업종별로는 철강금속(+4.23%), 의약품(+3.98%), 건설업(+3.67%), 전기전자(+2.23%), 서비스업(+1.09%) 등이 강세였습니다. 기계(-1.97%), 화학(-0.88%), 전기가스업(-0.84%) 등은 약세를 보였습니다.

 

이날 상승 종목은 312개, 하락 종목은 546개로, 하락 종목이 더 많았습니다. 거래량은 1억 7000만주, 거래대금은 19조 6000억원이었습니다.

 

이 연구원은 "하락 종목 수 대비 상승 종목 수 비율(ADR)과 코스피가 상반된 흐름을 보이고 있어 주가 상승 구도가 약해지고 있음을 시사하고 있다"며 "11월 초부터 시작된 증시 상승세와 관련해 지나치게 낙관적인 스탠스는 자제할 필요가 있다"고 했습니다.

 

코스닥지수는 전 거래일보다 6.15포인트(0.68%) 오른 913.76으로 거래를 마쳤습니다. 개인이 438억원을, 외국인이 403억원을 각각 순매수했으며, 기관은 590억원을 순매도했습니다.

 

시총 상위 종목 가운데선 셀트리온헬스케어(+10.15%), 제넥신(+6.03%), 씨젠(+5.38%)의 상승 폭이 컸고, 휴젤(-5.67%), 펄어비스(-5.32%) 등은 5%대 급락했습니다.

 

증시에 외국인 자금이 지속적으로 유입되면서 원·달러 환율은 전날 대비 14.9원 급락한 1082.1원에 마감했는데요. 이는 2018년 6월 14일 이후 2년 6개월 만에 최저치입니다.

 

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남궁경 기자 nkk@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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