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LG전자·세계김치연구소, 디오스 식기세척기의 식중독 유해균 제거 능력 확인

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Wednesday, July 24, 2019, 10:07:00

100도(oC) 트루 스팀이 장관출혈대장균, 노로바이러스, A형 간염 바이러스 등 99.9% 이상 제거

 

LG디오스 식기세척기의 식중독 유해균 제거 능력이 확인됐다.

 

24일 LG전자와 세계김치연구소(Wikim; World Institute of Kimchi)는 최근 디오스 식기세척기의 100도(oC) 트루 스팀이 장관출혈대장균(O157:H7), 노로바이러스, A형 간염 바이러스 등 다양한 식중독 유해균을 제거해준다는 실험 결과를 확인했다.

 

세계김치연구소는 한국식품연구원의 부설기관으로 김치 원료, 제조공정, 미생물 등에 대해 연구한다. 특히 연구소는 지난해 국내 최초로 노로바이러스에 대한 족집게 검사법을 개발하는 등 식중독 유해균 연구도 활발히 진행하고 있다.

 

연구소는 일반 가정에서 자주 사용하는 유리, 도자기, 플라스틱, 스테인레스 스틸 등의 용기에 식중독 유해균을 접종 후 디오스 식기세척기로 스팀살균 모드를 사용했을 때 살균효과를 확인한 것이다.

 

연구소 시험 결과에 따르면 디오스 식기세척기는 용기 종류에 상관없이 장관출혈대장균, 노로바이러스, A형 간염 바이러스 등 식중독 유해균을 99.9% 이상 제거했다.

 

이들 대장균과 바이러스는 식중독을 일으키는 대표적인 유해균이다. 특히 노로바이러스의 경우 장염을 가장 많이 일으키는 대표적 병원성 유해균이다.

 

일부 식중독 세균들은 60oC에서 20분 이상 가열해야만 제거할 수 있지만 노로바이러스는 60oC 이상에서도 생존할 수 있어 사용자들이 용기 관리에 어려움을 겪는 경우가 많다.

 

LG전자는 이러한 불편을 덜어주고자 올해 3월 출시한 디오스 식기세척기에 100oC 트루 스팀 기능을 탑재했다.

 

이 기능은 식기세척기의 천장, 정면, 바닥 등 3면에서 고온의 스팀을 빈틈없이 분사시켜 식기에 눌어붙은 음식물과 유해 세균을 제거한다. 미세입자로 이뤄진 스팀은 물자국을 남기지 않고 깨끗하게 말려준다.

 

또 디오스 식기세척기는 54개 물살이 식기를 구석구석 깨끗하게 세척한다. 특히 식기세척기 바닥에 있는 X자 모양의 토네이도 세척날개가 시계 방향과 반대 방향으로 번갈아 회전하면서 만들어 낸 고압 물살이 식기에 남아있는 세제와 기름때까지 제거한다.

 

이외에도 이 제품은 3단 높이 조절, 다용도 선반, 맞춤형 식기꽂이 등이 가능한 ‘스마트 선반시스템’을 적용해 최적의 수납공간을 제공한다.

 

LG전자 키친어플라이언스사업부장 윤경석 전무는 “LG전자의 차별화된 가전 기술을 바탕으로 고객의 삶을 편리하게 하는 주방 문화를 지속 선도해 나갈 것”이라고 강조했다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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