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디지털 격전지 ‘마이데이터’...토스·SC제일은행 등 예비허가 획득

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Wednesday, January 13, 2021, 16:01:13

13일 금융위 정례회의서 ‘마이데이터 사업’ 예비허가안 의결
토스·민앤지·SC제일은행·SK플래닛 등 7곳 2차 예비사업자 선정

 

인더뉴스 유은실 기자ㅣ 토스·SC제일은행 등 7개사가 마이데이터 2차 예비사업자로 확정됐습니다. 1차에 이어 2차 예비사업자 선정까지 마무리됨에 따라 디지털 시대 미래 먹거리로 부상한 마이데이터 사업을 두고 치열한 경쟁이 예고됩니다.

 

금융위원회는 13일 오후 2시 정례회의를 열고 ‘본인신용정보관리업(마이데이터 사업)’의 예비허가안을 의결했습니다. 이번 2차 사업자 선정에서 허가를 받은 곳은 비바리퍼블리카(토스), 민앤지, 쿠콘, 핀테크, 해빗팩토리, SC제일은행, SK플래닛 등 7곳입니다.

 

이번 심사는 1차 예비허가 심사에서 보류를 받았던 카카오페이·비바리퍼블리카(토스)·민앤지·뱅큐·아이지넷·쿠콘·핀테크·해빗팩토리 등 8곳과 SC제일은행·SK플래닛 등 추가 신청기업 2곳에 대한 심사가 이뤄졌습니다.

 

마이데이터 사업의 키 플레이어로 여겨졌던 카카오페이는 또 보류 판정을 받았습니다. 마이데이터 신청 회사의 지분을 10% 이상 가진 대주주가 제재를 받거나 소송이 진행 중이면 심사가 중단되는 일명 ‘심사중단제도’에 발목이 잡힌 겁니다.

 

뱅큐·아이지넷은 사업계획의 타당성 요건이 미흡해 예비허가를 받지 못했습니다. 금융위는 외부평가위원회 심사결과 등에 따라 이들 회사에 허가요건 미흡 판정을 내렸습니다.

 

금융당국이 주로 들여다본 요건은 ▲최소자본금 5억원 이상 ▲해킹 방지·망 분리 수행 등 보안 설비를 포함한 물적시설 ▲사업계획의 타당성 ▲대주주 적격성 ▲신청인의 임원 적격성 ▲데이터 처리 경험 등입니다.

 

1·2차 선정을 종합해보면 은행권에서는 국민·농협·신한·우리·SC제일은행이, 여신전문금융사 중에서는 KB국민·신한·우리·현대·비씨카드와 현대캐피탈이 선정됐습니다.

 

금융투자업계는 유일하게 미래에셋대우가 예비허가를 받았습니다. 농협중앙회와 웰컴저축은행도 명단에 이름을 올렸습니다.

 

핀테크 부문에서는 네이버파이낸셜, 레이니스트(뱅크샐러드), 보맵, 핀다, 팀윙크, 한국금융솔루션, 한국신용데이터, NHN페이코, 비바리퍼블리카(토스), 민앤지, 쿠콘, 핀테크, 해빗팩토리, SK플래닛 등 14개사가 선정됐습니다.

 

예비허가를 받은 28개 회사들은 올해부터 허가제로 전환되는 마이데이터 사업을 위한 준비에 박차를 가할 예정입니다. 금융위는 오는 27일 정례회의를 통해 본허가 받은 기업들을 발표할 예정입니다.

 

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유은실 기자 yes24@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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