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‘가격·패키지 슬림해진다’...삼성전자, 갤럭시S21 출고가 99만 9900원

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Wednesday, January 13, 2021, 15:01:55

한국시간 15일 자정 갤럭시 언팩 2021 개최..갤럭시S21 시리즈·버즈라이브 공개
전작 대비 출고가 9~20% 낮춰..이어폰·충전기 패키지서 제외..울트라는 S펜 제공

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣ삼성전자(대표이사 사장 고동진)가 갤럭시S21 출시를 앞두고 패키지 슬림 전략을 적용합니다. 기존 스마트폰을 구매하면 패키지로 제공했던 이어폰과 충전기를 제외시킬 것으로 알려졌습니다.

 

대신 이번 갤럭시S21의 기본 모델 출고가를 100만원 미만으로 낮췄습니다. 모델별로 차이가 있지만, 작년 갤럭시S20보다 출고가를 최대 20% 가량 낮춘셈입니다.

 

13일 이동통신업계 등에 따르면 삼성전자 플래그십 스마트폰 갤럭시S21 시리즈 출고가는 ▲ 갤럭시S21 99만 9900원 ▲갤럭시S21 플러스 119만 9000원 ▲갤럭시S21 울트라 256GB (145만 2000원) ▲갤럭시S21 울트라 512GB 159만 9400원으로 결정됐습니다.

 

출고가 기준으로 전작인 갤럭시S20과 비교하면 9~20%가량 출고가를 인하했습니다. 가격이 가벼워진만큼 이번 갤럭시S21은 패키지·사전구매 사은품 구성도 기존과 달라질 것으로 보입니다.

 

독일 IT 매체 원퓨처 등 외신 보도에 따르면 갤럭시S21 시리즈부터 충전기를 제공하지 않습니다. 충전기를 제외한 나머지 퀵스타트가이드(사용설명서)와 USB-C타입 데이터 케이블, 유심제거용 핀이 단말기와 함께 패키지에 포함됩니다.

 

앞서 애플은 지난해 아이폰12를 출시하면서 ‘환경 보호’를 이유로 더이상 이어폰과 충전기를 제공하지 않겠다고 선언한 바 있습니다.

 

갤럭시버즈 프로도 공개됩니다. 갤럭시버즈 프로는 11㎜ 우퍼와 6.5㎜ 트위터, 3개 빔포밍 마이크(유닛당), 액티브 노이즈 캔슬링(ANC), IPX7등급 방수방진, 3차원 영상 오디오, 500밀리암페아(mAh) 배터리(케이스), 블루투스 5.1 등의 기능을 탑재됩니다.

 

 

한편, 지난 12일 ‘갤럭시 언팩 2021’ 트레일러 영상이 공개됐습니다. 오는 15일 한국시간 자정에 진행되는 갤럭시 언팩 2021은 ‘웰컴 투 더 에브리데이 에픽’이라는 주제로 열립니다.

 

갤럭시S21은 ▲갤럭시S21 6.7인치 ▲갤럭시S21 플러스 6.8인치 ▲갤럭시S21 울트라 총 3종으로 출시됩니다. 어플리케이션 프로세서(AP)는 퀄컴 스냅드래곤 888과 삼성 엑시노스2100이 병행 탑재되는데요. 국내와 유럽 등은 엑시노스2100 탑재 모델이 출시됩니다.

 

갤럭시S21은 디자인과 함께 카메라 성능이 강화됐습니다. 갤럭시S21 시리즈의 일반 모델과 플러스 모델의 후면에 ▲1200만화소 광각 ▲1200만화소 초광각 ▲6400만 화소 망원 등 3개 카메라를 탑재했습니다. 전면 카메라는 1000만화소입니다.

 

최상위 울트라 모델의 경우 ▲1억 800만화소 메가픽셀 카메라 ▲1000만화소 망원 카메라2개 ▲1200만화소 초광각 카메라 등 4개 카메라를 탑재했습니다.

 

망원카메라는 3·5·10배 광학 줌을 제공하며, 레이저 자동 초점(AF)과 듀얼 픽셀 오토포커스 등도 지원됩니다. 전면 카메라는 4000만화소로 일반·플러스 모델과는 차별화됩니다. 갤럭시S21 울트라 모델은 갤럭시S 시리즈 처음으로 S펜을 지원할 전망입니다.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

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2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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