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SK하이닉스, 10억 달러 규모 그린본드 발행...“ESG 경영 강화 차원”

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Thursday, January 14, 2021, 09:01:30

글로벌 메모리반도체 기업 중 최초로 그린본드 발행

 

인더뉴스 권지영 기자ㅣSK하이닉스는 14일 ESG1)(환경·사회·지배구조) 경영 가속화를 위해 친환경 사업에 투자하는 10억 달러 규모의 그린본드(Green Bond)를 발행한다고 발표했습니다.

 

그린본드는 환경친화적 투자에 필요한 자금 조달을 위한 용도로만 쓸 수 있는 특수목적 채권입니다. 글로벌 메모리반도체 기업 중 그린본드를 발행한 경우는 SK하이닉스가 처음입니다.

 

최근 세계 유수 기업들은 기후변화 등에 선제적 대응을 하기 위해 ESG 활동에 적극 나서고 있습니다. 실제로 애플, TSMC 등 글로벌 IT 기업들은 RE1002)에 참여하고, ESG 채권3) 발행을 진행한 바 있습니다.

 

SK하이닉스 역시 지난해 말 SK 주요 관계사들과 함께 국내 기업 최초로 RE100에 동참했습니다.

 

이번 그린본드에는 전세계 230여 개 기관 투자자로부터 54억 달러의 주문이 몰렸는데요. 이에 따라 회사는 당초 5억 달러 수준으로 계획했던 발행 규모를 10억 달러로 대폭 늘렸습니다.

 

SK하이닉스는 그린본드를 통해 마련한 재원을 수질 관리, 에너지 효율화, 오염 방지, 생태환경 복원 등 친환경 사업에 투자할 예정입니다.

 

특히 반도체 산업에서 중요성이 매우 높은 물 관리를 위해 신규 최첨단 폐수 처리장 건설과 용수재활용 시스템 구축 프로젝트를 진행합니다.

 

이와 함께 IT 산업 전반의 탄소 배출 저감을 위해 저전력 SSD(Solid State Drive, 낸드 기반 저장장치) 개발 사업 등 다양한 프로젝트도 추진할 계획입니다.

 

SK하이닉스는 대표적인 저장장치 중 하나인 HDD(하드 디스크 드라이브)를 SSD로 대체해 가는 데 역점을 두고 있습니다. 이는 제품 기술력의 진보는 물론, IT 기기의 탄소 배출을 획기적으로 줄여 환경 분야 사회적 가치 창출에도 큰 도움이 될 것으로 보고 있는데요. 실제로 HDD를 저전력 SSD로 대체하면 이산화탄소 배출량을 93% 이상 저감할 수 있다고 알려져 있습니다.

 

장혁준 SK하이닉스 재무담당은 “이번 글로벌 그린본드의 성공적인 발행은 RE100 가입을 포함한 회사의 적극적인 친환경 행보를 글로벌 투자자들이 인정해준 결과라고 본다”며 “ESG 경영을 선도하는 메모리반도체 기업으로서 지속가능한 성장동력을 확보해 EV(경제적 가치)뿐 아니라 SV(사회적 가치)를 높이는 데도 기여해 나갈 것”이라고 말했습니다.

 

SK하이닉스는 지난해 10월 D램과 낸드를 양 날개로 사업 경쟁력을 공고히 하는 한편, ESG 활동을 통해 SV 창출에도 적극 나선다는 파이낸셜 스토리(Financial Story) 비전을 밝힌 바 있습니다.

 

올해부터 이를 본격적으로 실행하면서 이해관계자들의 신뢰를 확보해 기업가치를 더 높여 나갈 계획입니다.

 

☞ 용어 설명

 

ESG: Environment(환경), Social(사회), Governance(지배구조)의 앞글자를 딴 약자로 기업의 비재무적 성과를 판단하는 기준을 의미.

 

RE100: Renewable Energy 100(재생에너지 100%). 사용하는 전력의 100%를 재생에너지로 조달하겠다는 선언으로, 영국 소재 다국적 비영리기구 ‘더 클라이밋 그룹’이 2014년 시작해 현재 전세계 263개 기업이 가입해 있음.

 

ESG 채권: 환경, 사회, 지배구조 등 개선 사업을 목적으로 발행되는 채권으로 그린본드, 소셜본드, 지속가능채권으로 나뉨.

 

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권지영 기자 eileenkwon@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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