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삼성SDI, 지난해 연매출 11조원 돌파…사상 최대 성적

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Thursday, January 28, 2021, 16:01:46

4분기 매출 3조2514억원..분기 매출 최고 실적

 

인더뉴스 이진솔 기자 | 삼성SDI가 연 매출과 분기 매출 모두 사상 최대를 기록했습니다. 지난해 연 매출은 11조원을 최초로 돌파했으며 분기 매출은 3분기에 이어 최고 실적을 갱신했습니다.

 

삼성SDI(대표 전영현)가 지난해 4분기 경영 실적으로 매출 3조2514억원, 영업이익 2462억원을 기록했다고 28일 발표했습니다. 전년 동기 대비 매출은 4305억원(15.3%) 증가했고 영업이익도 2261억원(1124.9%) 늘었습니다. 지난해 3분기와 견줘 매출은 1642억원(5.3%) 확대됐지만 영업이익은 212억원(7.9%) 줄었습니다.

 

지난해 4분기 에너지 부문 매출은 2조6292억원입니다. 전분기 대비 2457억원(10.3%) 증가했습니다. 같은 기간 영업이익은 1170억원으로 전분기 대비 212억 원(15.3%) 감소했습니다.

 

세부적으로 자동차전지는 하반기 유럽 전기차 보조금 상향 등 친환경 정책 영향을 받아 매출 성장을 지속했습니다. ESS는 미주 대형 프로젝트를 중심으로 매출이 증가했습니다. 다만 소형전지는 파우치전지 판매 감소 영향 등으로 전분기 대비 매출이 감소했습니다.

 

지난해 4분기 전자재료사업 부문 매출은 6222억원으로 전분기 대비 815억원(11.6%) 감소했습니다. 영업이익은 1292억원으로 전 분기와 같습니다. 편광필름은 계절적 비수기 진입으로 매출이 감소하고 반도체 소재도 고객 재고조정 영향으로 소폭 줄었지만 유기발광다이오드(OLED) 소재는 신규 플래그십 스마트폰향 공급이 늘었습니다.

 

삼성SDI는 올해 1분기 자동차전지는 계절적 비수기로 판매가 감소하고 ESS는 미주를 중심으로 판매 확대가 지속되지만 국내 판매는 감소할 것으로 전망했습니다. 소형전지는 전동공구와 무선 이어폰향 원형전지 수요 증가 등 영향으로 전분기 대비 판매가 소폭 증가할 것으로 예상됩니다. 전자재료는 편광필름과 OLED소재가 비수기 영향을 받아 전분기 대비 판매와 수익성이 감소할 것으로 보입니다.

 

올해 연간으로는 자동차전지를 비롯해 ESS, 소형전지, 반도체 및 OLED 소재 시장 성장이 기대된다고 삼성SDI는 내다봤습니다. 올해 자동차전지 시장은 유럽, 미국, 중국 친환경 정책 아래 2020년 대비 약 80% 성장한 236GWh로 전망됩니다.

 

ESS 시장은 해외 친환경 정책 영향으로 수요가 늘어 전년 대비 57% 성장한 29.8GWh 규모에 이를 것으로 예상됩니다. 소형전지 시장 역시 모빌리티용 수요 증가, 주택 경기 회복에 따른 전동공구 수요 반등 등의 효과로 전년대비 16% 성장한 연간 112억 셀 규모에 이를 것으로 보입니다.

 

전자재료는 반도체 및 OLED 소재 중심으로 시장 확대가 전망됩니다. 반도체 소재는 고객 웨이퍼 투입량 증가로 공정 소재 수요가 증가하고 디스플레이 소재는 보급형 스마트폰 OLED 패널 채용 확대로 소재 수요가 증가할 것으로 예상됩니다.

 

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이진솔 기자 jinsol@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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