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LG화학, 5000억원 들여 배터리공장 짓는다...‘구미형 일자리’ 첫 사례

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Thursday, July 25, 2019, 18:07:35

2024년 이후 연간 6만톤의 양극재 생산..1000명 규모 일자리 창출 기대

 

인더뉴스 박경보 기자ㅣLG화학은 배터리의 핵심 원재료인 ‘양극재’의 안정적 수급을 위해 약 5000억원 규모의 양극재 공장을 신설하는 ‘상생형 구미 일자리’ 투자협약을 체결했다고 25일 밝혔다. 구미시 국가산업에 LG화학의 배터리 양극재 공장이 들어서면 약 1000여명 규모의 일자리가 창출될 것으로 기대된다.

 

경상북도와 구미시, LG화학은 이날 구미컨벤션센터에서 이철우 경북도지사, 장세용 구미시장, 신학철 LG화학 부회장 및 지역주민 등 500여명이 참석한 가운데 투자 협약식을 개최했다. LG화학은 이번 협약에 따라 구미시 국가산업 5단지 내 6만여㎡ 부지에 약 5000억원을 투자해 배터리 양극재 공장을 건설한다.

 

배터리의 4대 핵심원재료 중 하나인 양극재는 배터리 재료비의 약 40%를 차지하는 가장 중요한 원재료로, 기술 장벽이 높은 고부가 산업이다. 신설 공장은 내년 착공을 시작해 투자가 완료되는 2024년 이후에는 연간 약 6만톤 규모의 생산능력을 갖추게 된다. 6만톤은 고성능 순수 전기차(380km 이상 주행 가능) 기준 약 50만대분의 배터리를 제조할 수 있는 규모다.

 

이번 투자는 전기차 배터리 시장의 급성장에 따라 양극재 생산 확대가 필요했던 LG화학과 양질의 일자리 창출을 위해 기업 유치에 나섰던 구미시의 이해관계가 맞아떨어졌기 때문이다. LG화학은 기존의 청주, 익산과 더불어 구미에 양극재 공장을 신설해 배터리 핵심 원재료의 내부 수급 비중 확대, 안정적인 공급망 구축, 원가 경쟁력 강화 등에 기여할 것으로 기대하고 있다.

 

LG화학의 자동차 전지 누적 수주잔고는 지난 3월 말 110조원을 돌파했으며 현재도 수주 잔고가 빠르게 증가하는 추세다. 전지사업본부의 매출은 자동차 전지 사업을 중심으로 지난해 연간 6조 5000억원에서 2024년 31조 6000억원까지 급성장할 것으로 예상된다.

 

시장조사기관 B3에 따르면 자동차 전지 시장 규모는 올해 116GWh에서 2025년 569GWh까지 급증할 것으로 보이며, 핵심소재인 양극재 시장 역시 폭발적인 성장이 예상된다. 이에 따라 LG화학은 이번 구미 공장과 더불어 기존 2만 5000톤 규모의 청주공장의 생산능력도 현재의 두 배 이상으로 증설할 계획이다.

 

한편, 이번 협약은 정부가 추진 중인 ‘상생형 지역 일자리 모델’의 하나인 ‘구미형 일자리’의 첫 번째 사업 모델이다. 구미형 일자리는 기업이 100% 투자하는 투자촉진형 일자리 모델이며, 경상북도와 구미시는 행정 및 재정적 지원, 공동복지 프로그램 구축 등 공장 운영을 위해 전폭 지원할 계획이다.

 

이날 신학철 LG화학 부회장은 “이번 구미 투자를 시작으로 핵심소재 내재화를 통한 국산화율 제고에 박차를 가해 전지 분야의 사업경쟁력을 더욱 높여나가겠다”며 “지역경제 활성화 및 일자리 창출 등 지역사회와 함께 성장할 수 있는 기반을 만들기 위해 최선을 다할 것”이라고 말했다.

 

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박경보 기자 kyung2332@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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