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삼성전자, 임원인사...부사장 13명·전무 35명·상무 95명 등 총 158명 승진

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Thursday, December 06, 2018, 15:12:53

철저한 성과주의 반영..DS부문 역대 최대 12명 발탁

인더뉴스 주동일 기자ㅣ 삼성전자는 2019년 임원과 Fellow, Master에 대한 정기 인사를 6일자로 실시했다. 삼성전자는 부사장 13명·전무 35명·상무 95명·Fellow 1명·Master 14명 등 총 158명을 승진시켰다. 승진자는 2018년 221명·2017년 90명·2016년 128명이었다.

 

사상 최고 실적을 낸 DS부문은 승진자 총 80명 중 12명을 직위 연한과 상관없이 발탁했다. 이로써 철저한 성과주의 인사원칙을 재확인했다. 또 삼성전자는 경영 성과와 성장 잠재력을 보유한 경영 후보군 중 13명을 부사장으로 승진시켜 미래 CEO 후보군을 두텁게 했다.

 

삼성전자는 다양성 강화 차원에서 외국인과 여성인력에 대한 승진 문호를 지속적으로 확대해 왔다. 이번에도 현지 외국인 핵심인력과 여성인력 승진 기조를 유지했다. 2019년 승진자 중 외국인·여성 인력은 11명. 2018년엔 11명·2017년 3명·2016년 10명이었다.

 

회사의 기술력을 대표하는 연구개발 부문 최고 전문가도 Fellow 1명, Master 14명을 선임해 최고 기술회사 위상을 강화했다. Fellow·Master 승진자는 2019년 15명이다. 2018년엔 16명·2017년 7명·2016년 6명이었다.

 

삼성전자는 이번 2019년 정기 임원인사를 통해 경영진 인사를 마무리했다. 조만간 조직개편과 보직인사를 확정해 발표할 예정이다.

▲ 메모리사업부 DRAM PA팀장 김형섭 부사장

•메모리 공정 전문가로 DRAM 신제품 적기 개발·수율 Ramp-up을 통해 경쟁사와의 기술 초격차 유지에 기여

▲ Foundry사업부 Design Service팀장 박재홍 부사장

•Logic 설계 전문가로 완성도 높은 Design Service 제공을 통한 ASIC 비즈니스 확대 등 Foundry 사업 경쟁력 강화에 기여

▲ 메모리사업부 YE팀장 송두헌 부사장

•메모리 소자/공정 전문가로 DRAM, Flash 주요 제품 수율 극대화, 신제품 양산성 조기 확보를 통한 메모리 최대 실적 달성에 기여

▲ 메모리사업부 마케팅팀장 전세원 부사장

•메모리 마케팅 전문가로 시장에 대한 정확한 센싱과 분석을 통해 차별화 판매 전략을 수립하고 사상 최대 실적 달성에 기여

▲ S.LSI사업부 기반설계팀장 조병학 부사장

•무선 송수신 분야 전문가로 5G 모뎀용 RFIC개발, 상용화 추진 등 S.LSI사업부 RF제품 경쟁력 향상에 기여

▲ 무선사업부 SEVT법인장 김동욱 부사장

•세트 제조 전문가로 무선 최대 생산법인인 베트남 법인을 이끌며 S9 메탈, 글라스 수율 조기 확보를 통해 글로벌 공급 안정화에 기여

▲ 영상디스플레이사업부 영상전략마케팅팀장 추종석 부사장

•해외영업 전문가로 QLED 등 프리미엄 제품 리더십 강화·손익 중심의 마케팅 전개로 주요 시장 M/S 확대에 기여

▲ DS부문 SSIR 발라지 소우리라잔 상무

•인도연구소장으로서 Foundry IP개발, Design Service 지원 등 다양한 개발 과제를 리드하며 S.LSI/Foundry사업 경쟁력 강화

▲ Foundry사업부 SAS법인 존 테일러 상무

•Foundry 공정기술/시스템 전문가로 시스템 고도화, 혁신을 통해 SAS법인 제조 경쟁력 강화를 주도

▲ 구주총괄 영국법인 IM Div장 코너 피어스 상무

•'15年부터 영국 모바일 사업을 이끌며 지속적인 매출 성장을 견인하고 있으며 견고한 손익과 M/S 유지의 성과를 창출

▲ 메모리 Flash PE팀 김은경 상무

•메모리 Flash 제품 불량분석·품질관리 전문가로 V낸드 제품 양산 품질확보·특성 최적화

▲ DS부문 부품플랫폼사업팀 조민정 상무

•메모리 상품기획 전문가로 전장용 메모리 반도체 신시장 발굴· 사업화 기반 확보에 기여

▲ 서남아총괄 마케팅팀 송명숙 상무

•마케팅 전문가로 인도지역 특화 사회공헌 캠페인을 통해 인도 YouTube 최단기간 1억뷰를 달성하는 等 브랜드 이미지 제고

▲ 네트워크사업부 서남아BM그룹장 박현아 상무

•B2B·기술영업 전문가로 5G 등 네트워크 기술에 대한 깊은 지식을 바탕으로 인도 시장 매출 확대·신규 사업 기반을 구축

▲ 생활가전사업부 Living PM 정유진 상무

•가전 영업 전문가로 고수익 프리미엄 제품군 중심 판매 촉진을 통해 사업 체질 개선·중장기 비즈니스 로드맵 수립을 주도

▲ 메모리 Flash개발실 최정환 Fellow

•메모리 I/O회로설계 분야 세계최고 수준의 전문가로 고속/저전력 메모리 제품 설계를 통해 경쟁사와의 기술 초격차 유지에 기여

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

SK하이닉스, 6세대 HBM 개발 위해 TSMC와 협력

2024.04.19 10:02:01

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 협력하기로 했다고 19일 밝혔습니다. 양사는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM) 개발을 위해 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했습니다. SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 강조했습니다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나섭니다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어집니다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행합니다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나 HBM4부터는 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획입니다. 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문입니다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 것이 SK하이닉스의 설명입니다. 이와 함께, 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 'CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)' 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객사 요청에 공동 대응하기로 했습니다. 'CoWoS'는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 특수 기판 인터포저(Interposer) 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식입니다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론, 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'의 위상을 확고히 하겠다"고 말했습니다.


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