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금감원, 부서장급 인사 80% 교체...조직 대폭 물갈이

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Thursday, January 10, 2019, 15:01:31

부국장·팀장 30명 국·실장 신규 승진발령...세대교체·전문성 중심 배치·여성인재 발탁

[인더뉴스 정재혁 기자] 금융감독원이 부서장이 80%를 교체하는 등 조직을 대폭 물갈이했다.

 

금감원은 작년 5월 윤석헌 원장 취임 이후 처음으로 능력과 성과가 우수한 부국장·팀장 30명을 국·실장(급)으로 신규 승진발령하고, 부서장의 80%를 교체하는 등 대규모 인사를 단행했다고 10일 밝혔다.

 

금감원 관계자는 이번 인사의 특징에 대해 “세대교체와 유능한 인재의 과감한 발탁을 통해 조직에 활력을 불어넣고, 전문성 중심의 적재적소 배치로 금융감독 역량을 강화한 것”이라고 설명했다.

 

1966년∼1968년생 부국장·팀장(22명)을 중심으로 승진인사를 진행해 세대교체를 추진하되, 역량과 리더십을 인정받은 경우 연령에 관계없이 과감히 중용했다. 또한, 승진자(30명) 중 12명은 본부 주요부서의 국·실장에 발탁했다.

 

전문성 중심의 배치를 위해 그간 관행적으로 이뤄진 권역 간 교차배치를 최소화하고, 해당 직무에 대한 전문성을 갖춘 최적임자를 적재적소에 배치했다. 이밖에 업무능력과 리더십 있는 여성인재 2명을 발탁해 남성 위주의 인력구조 개선도 병행했다.

 

금감원 관계자는 “나머지 팀장·팀원 인사를 내달 2월 중순까지 마무리할 예정”이라며 “앞으로도 능력과 성과 중심의 인사문화를 지속적으로 정착시켜 나갈 계획”이라고 말했다.

 

▲금융감독원 부서장급 인사

 

◇ 승진

 

<국·실장> ▶인재교육원 실장 박선희 ▶비서실장 강선남 ▶법무실 국장 장진택 ▶연금금융실장 박학순 ▶금융그룹감독실장 이영로 ▶핀테크지원실장 장경운 ▶금융감독연구센터 국장 정신동 ▶신용감독국장 조성민 ▶은행리스크업무실장 김성우 ▶여신금융감독국장 이상민 ▶상호금융감독실장 이희준 ▶저축은행검사국장 박상춘 ▶여신금융검사국장 황남준 ▶자산운용감독국장 이경식 ▶금융투자검사국장 황성윤 ▶공시심사실장 박봉호 ▶자본시장조사국장 김영철 ▶회계관리국장 최상 ▶회계기획감리실장 김정흠 ▶보험리스크제도실장 박진해 ▶분쟁조정2국장 김상대 ▶불법금융대응단 국장 김철웅 ▶인천지원장 원일연 ▶경남지원장 안병규 ▶제주지원장 도종택 ▶전북지원장 김용실 ▶충북지원장 이용관 ▶강릉지원장 서창석 ▶뉴욕사무소장 유창민 ▶런던사무소장 이주현 ▶북경사무소장 김재경

 

◇ 전보

 

<국·실장> ▶기획조정국장 김종민 ▶총무국장 서정호 ▶인적자원개발실장 김태성 ▶제재심의국장 이재용 ▶국제협력국장 온영식 ▶은행감독국장 이준수 ▶일반은행검사국장 이근우 ▶특수은행검사국장 권창우 ▶저축은행감독국장 김영주 ▶상호금융검사국장 엄주동 ▶자산운용검사국장 서규영 ▶기업공시국장 이관재 ▶조사기획국장 김충우 ▶회계심사국장 장석일 ▶회계조사국장 정규성 ▶보험감리국장 강한구 ▶생명보험검사국장 박상욱 ▶손해보험검사국장 박성기 ▶보험영업검사실장 김소연 ▶금융소비자보호총괄국장 오홍주 ▶금융교육국장 정영석 ▶감사실 국장 홍길 ▶감찰실 국장 이진석 ▶대구경북지원장 김윤진 ▶광주전남지원장 박종수 ▶대전충남지원장 김영진

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정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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