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송희경 의원 “수영장·사무실 웹캠, ENP 등 대비한 사이버 안보 필수”

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Wednesday, January 16, 2019, 17:01:08

자유한국당 비례대표 의원..캄보디아서 14~17일 열린 APPF 기조 발제

인더뉴스 주동일 기자ㅣ 송희경 자유한국당 의원(비례대표)이 웹캠을 통해 수영장·사무실 등을 보는 사이버 범죄와 ENP 공격의 위험성 등을 근거로 사이버 안보의 취약성을 지적했다. 이어 사이버 안보 환경을 조성하기 위한 국제적 협력이 필요하다고 주장했다. 

 

송희경 의원은 캄보디아에서 14일(현지시각)부터 17일까지 열리는 아시아·태평양 의회포럼(APPF) 총회에 참여해 사이버 안보 관련 국제 협력의 중요성을 주제로 기조 발제했다. 송 의원은 사이버 안보 환경 구축을 위한 국제적 협력의 중요성을 강조했다.

 

특히 국가기간망과 전자장비를 무력화하는 전자기펄스탄(Electro Magnetic Pulse·EMP)을 대비해야 한다고 강조했다. 송 의원은 방호 시스템을 구축할 수 있도록 국제적 공조를 호소했다.

 

송 의원은 현대사회가 초연결사회로 바뀌고 있는 점을 사이버 안보가 필요한 이유로 들었다. 송 의원은 “현대사회가 4차 산업혁명과 함께 모든 것이 네트워크로 연결되고 국가의 중요 인프라가 정보통신기술로 연결되는 초연결사회로 진입하고 있다”고 말했다.

 

이로써 많은 경제·사회 발전을 이뤘지만, 사이버 공격의 위험성도 함께 커졌다고 분석했다. 송 의원은 “사물인터넷(IoT)의 진화는 사이버 안보의 문제가 더 이상 가상 공간에 국한되지 않고, 현실 세계의 위험과 피해가 더욱 확대될 것”이라고 했다.

 

대표적인 예로 지난해 11월 논란이 됐던 IoT 검색엔진 ‘쇼단’을 들었다. 당시 송 의원은 쇼단에서 웹캠을 통해 국내 사무실·수영장의 모습을 실시간으로 볼 수 있음을 시연해 사이버 안보 취약성을 드러냈다.

 

이어 송 의원은 국내 사이버 안보 체계의 취약성도 함께 지적했다. 그는 “2014년 대한민국 경찰청 내 별도 신설한 사이버안전국이 컨트롤타워 역할을 해오고 있으나 진화하는 사이버테러를 막기에는 역부족인 상황”이라며 “진화하는 사이버테러를 막기에는 부족하다”고 말했다.

 

국회에서 ‘4차 산업혁명 특별위원회’를 신설해 보안을 강화하고 관련 R&D 투자를 확대하는 등 대책을 마련 중이다. 송 의원은 “정책·입법 권고안을 작성해 추후 관련분야의 정책 수립에 이바지해 오고 있다”고 말했다.

 

한편 송 의원은 사이버 안보에 있어서 전자기펄스탄에 대비해야 한다고 주장했다. 송 의원은 “EMP탄 공격이 있을 경우 반경 수백Km 지역 내 국가 기간망과 전자장비가 일시에 먹통이 된다”며 “사회가 마비되는 만큼 만반의 준비가 필요하다”고 말했다. 

 

송 의원은 이 같은 사이버 범죄에 대비해 국제적 협력이 필요하다고 호소했다. 그는 “시·공간적 제약을 받지 않는 사이버 범죄의 특성상 보다 확실한 사이버 안보 환경 구축을 해야한다”며 “국내의 자체적인 노력과 국제적 차원의 협력, 정보공유가 필수적”이라고 했다.

 

한편 아시아-태평양 의회포럼(APPF)은 국제사회 내 의회 간 지역체 회의로 1993년에 설립됐다. 한국·미국·중국·일본·러시아 등 27개국이 회원국으로 참여한다. 우리나라는 창립총회 때부터 포럼에 참석해 2021년 제29차 총회를 개최할 예정이다.

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주동일 기자 jdi@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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