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카드업계 불황 아니었어?...작년 순익 1.4兆조, 전년比 12.3% ↑

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Thursday, March 28, 2019, 17:03:34

금감원, 2018 신용카드사 영업실적 발표..대손비용 급증효과 제외 時 4.4%↓
카드대출 이용액·연체율 모두 증가..신용·체크카드 발급 각각 5.6%·1.1% ↑

 

인더뉴스 김현우 기자ㅣ 불황이라던 카드 업계가 전년보다 당기순이익이 12% 이상 올랐다. 지난해 카드회사의 가맹점수수료 이익 등 총수익이 1조1300억원 증가하고, 마케팅비용 등 총비용은 9800억원정도 느는 데 그쳤기 때문이다. 

 

금융감독원(원장 윤석헌)은 28일 ‘2018년 신용카드사 영업실적(잠정)’을 발표했다. 금감원이 감독규정대로 추산한 8개 전업카드사(신한·삼성·KB국민·현대·우리·롯데·하나·비씨)의 당기순익은 1조4000억원으로 전년(1조 2000억원)보다 12.3%(1511억원) 늘었다.

 

하지만, 감독규정상 충당금 적립기준 강화로 대손비용이 급증한 효과를 제외할 경우, 지난해 순이익은 전년보다 4.4% 감소했다. IFRS기준으론 전년(2조 2000억원)보다 21.5% 감소한 1조7000원을 기록했다.

 

이 같은 차이를 보이는 것은 최근 대손충당금 적립기준이 강화됐기 때문이다. 지난 2017년 6월, 카드론을 여러번 사용한 고객에 대해 대손충당금을 추가 적립(30%)하도록 기준이 강화된 바 있다.

 

금감원 관계자는 “카드사의 대손충당금 적립기준은 감독규정이 IFRS 기준보다 강화돼 두 기준에 의한 충당금 적립액의 차이만큼 순이익의 차이가 발생한다”고 설명했다.

 

같은 기간 신용·체크카드 이용액은 832조 6000억원으로 전년보다 5.6% 증가했다. 신용카드 이용액은 전년보다 5.9% 증가한 664조원을 기록했으며, 체크카드 이용액도 4.9% 증가한 168조 6000억원을 시현했다.

 

 

현금서비스·카드론 등 카드대출 이용액의 경우 103조 8000억원으로 전년보다 5.5% 증가했다. 이중 현금서비스는 60조 7000억원, 카드론은 43조 1000억원으로 전년보다 각각  2.4% , 10.2% 늘었다.

 

이와 함께 카드사 연체율도 높아졌다. 총채권 기준 지난해 카드사 연체율은 1.48%로 전년말과 비교해 0.11%p 상승했다. 이 결과는 카드대출 부문 연체율(2.44%)이 전년말과 비교해 0.17%p 상승해서다.

 

자본건전성도 다소 악화됐다. 지난해 기준 조정자기자본비율은 22.9%로 전년말보다 1.2%p 하락했다. 레버리지비율은 4.8배로 전년말과 비교해 0.3배 상승했다. 현재 금감원은 카드사 간 과당경쟁을 막기 위해 레버리비율을 6배 이내로 규제하고 있다.

 

이밖에 지난해 누적 신용카드 발급매수는 1억 506만매로 전년말보다 5.6% 증가했다. 휴면카드 매수도 전년말과 비교해 8.9% 증가한 871만매를 기록했다. 같은 기간 체크카드 발급매수도 전년보다 1.1% 늘어난 1억 1158만매로 집계됐다.

 

금감원 관계자는 “앞으로 국내외 기준금리 인상 등 대내외 경제여건 변화 등에 대비해 카드대출 연체율 추이 등 건전성 지표에 대한 모니터링을 강화할 계획”이라며 “카드업계의 장기 경쟁력 강화를 위한 제도 개선도 지속 추진할 것”이라고 말했다.

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김현우 기자 sapience@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


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