검색창 열기 인더뉴스 부·울·경

People 人더뉴스

최종구 금융위원장 “금융사와 핀테크, 협력적 경쟁관계 이뤄야”

URL복사

Wednesday, April 03, 2019, 10:04:00

우리금융 핀테크랩 ‘디노랩’ 개소식 참석..손태승 회장 “올해 1300억원 혁신기업에 투자”

[인더뉴스 정재혁 기자] 최종구 금융위원장이 우리은행의 확대·개편된 핀테크랩인 ‘디노(DinnoLab)’ 개소식에 직접 참석해 금융권이 핀테크 허브(Hub) 역할을 해 줄 것을 당부했다.

 

최종구 위원장은 3일 오전 여의도 한화금융센터 2층에 위치한 ‘디노랩’ 개소식에 참석했다. 이날 개소식에는 최 위원장을 비롯해 손태승 우리금융그룹 회장, 장정욱 아마존웹서비스(AWS) 코리아 대표, 레이니스트·에이젠글로벌 등 디노랩 1기 10개 대표가 참석했다.

 

최 위원장은 ‘디노랩’의 작명을 칭찬하면서 “‘디노랩’은 ‘Digital Innovation’의 조합이기도 하면서, 공룡(Dinosaur)처럼 핀테크 생태계를 지배하는 기업을 만들어내자는 뜻이 담겨있는 걸로 안다”며 “이러한 희망이 꼭 이뤄지길 바란다”고 말했다.

 

이어 디노랩을 포함한 금융권의 핀테크랩을 통해 금융권과 핀테크가 베타적 경쟁관계가 아닌, ‘협력적 경쟁관계(Coopetition, Cooperation+Competition)’가 돼 줄 것을 당부했다.

 

이와 관련, 최 위원장은 “핀테크의 혁신적 기술과 새로운 아이디어, 금융회사의 높은 고객신뢰와 안정적 시스템이 결합하면 시너지가 상당할 것”이라며 “디노랩이 국내외 투자 유치도 이끌어내는 핀테크 허브가 되길 기원한다”고 말했다.

 

손태승 우리금융 회장은 “올해 1300억원의 혁신기업 투자를 계획 중”이라며 “디노랩 입주 기업들에게 업무 공간과 오픈 API 및 클라우드를 활용한 테스트베드 환경 등을 전방위적으로 지원하겠다”고 말했다.

 

 

이번에 개소한 ‘디노랩’은 기존 우리은행의 위비 핀테크랩에 핀테크 기업의 ‘스케일 업(Scale-up)’을 지원하는 디벨로퍼랩을 추가했다. 위비 핀테크랩이 설립 초기인 핀테크 기업 지원을 목표로 한다면, 디벨로퍼랩은 어느 정도 자리를 잡은 핀테크 기업의 더 큰 성장을 돕는 것을 목표로 한다.

 

이러한 디벨로퍼랩은 핀테크 기업과 스타트업을 위한 테스트베드, 금융API 제공할 예정이다. 디벨로퍼랩 소속 핀테크 기업은 기술 구조화와 검증을 통해 개발리스크·실효성 예측이 가능하다. 또한, 아마존웹서비스와 제휴해 기술코칭 등 신기술·서비스 창출 기회도 제공한다.

 

한편, 우리금융은 마이데이터 사업을 추진 중인 뱅크샐러드(레이니스트)와 지난 2월에 업무제휴 MOU를 체결한 바 있다. ‘디노랩’ 1기 기업이기도 한 레이니스트는 향후 우리은행의 오픈 API와 공유·연계 제휴 서비스를 개발할 예정이다.

English(中文·日本語) news is the result of applying Google Translate. <iN THE NEWS> is not responsible for the content of English(中文·日本語) news.

배너

정재혁 기자 jjh27@inthenews.co.kr


삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산…“낸드플래시 시장 선도하겠다”

2024.04.23 11:07:48

인더뉴스 이종현 기자ㅣ삼성전자[005930]가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 23일 밝혔습니다. AI시대가 도래한 만큼 현재 업계에서는 AI기술에 핵심적으로 사용되는 고용량·고성능 낸드플래시에 대한 관심이 집중되고 있습니다. 삼성전자는 이번 '9세대 V낸드' 양산을 시작으로 낸드플래시 시장에서의 경쟁력을 공고히 하겠다는 입장입니다. 삼성전자는 업계 최소 크기 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰습니다. 동시에 더미 채널 홀 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했습니다. 해당 제품은 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정을 통해 생산성을 향상시켰습니다. '채널 홀 에칭'은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 채널 홀을 만드는 기술입니다. '9세대 V낸드'는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 'Toggle 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 냅니다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대할 계획입니다. 또한 '9세대 V낸드'는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장 부사장은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아지고 있어 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다"며 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것"이라고 말했습니다. 삼성전자는 'TLC 9세대 V낸드'에 이어 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 고용량·고성능 낸드플래시 개발을 지속할 예정입니다.


배너


배너