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코스피, 사상 첫 3300선 돌파...美 대규모 투자 소식에 ‘환호’

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Friday, June 25, 2021, 10:06:44

 

인더뉴스 최연재 기자ㅣ코스피가 사상 처음으로 장중 3300선을 돌파했다. 미국 정부가 대규모 인프라 투자를 결정하며 간밤 뉴욕 증시의 주요 지수가 일제히 사상 최고치를 경신하자 우리 증시에도 긍정적인 영향을 미치는 모습이다. 최근 우리 기업들의 수출 호조세도 증시 상승에 힘을 싣고 있다.

 

코스피는 25일 오전 10시 28분 기준 전날보다 0.77% 오른 3312.77을 나타내며 3300선을 넘어섰다. 나흘 연속 강세를 이어가며 또 다시 사상 최고치를 새로 썼다. 지수는 전날보다 0.09% 오른 3289.18에서 출발한 뒤 장 초반 바로 3300선을 넘었다.

 

외국인과 기관이 모처럼 동반 순매수에 나서며 지수 상승을 이끄는 모습이다. 개인만이 차익 실현에 나서고 있다.

 

이날 지수는 24일(현지시간) 조 바이든 미 대통령과 상원의원들이 인프라 투자 계획에 대해 합의했다는 소식에 한국 지수가 영향을 받고 있는 것으로 분석된다.

 

한지영 키움증권 연구원은 “연방준비제도(연준)의 정책 불확실성을 소화, 바이든 행정부의 인프라 투자 기대감이 재부각돼 위험자산 선호 심리가 개선되면서 신고가 경신 중”이라고 현재 흐름을 분석했다.

 

지난밤 뉴욕증시 역시 미 정치권의 인프라 지출안 합의 소식에 S&P500지수와 나스닥 지수는 사상 최고치를 경신했다. 이에 테슬라와 마이크로소프트(MS) 등이 급등했다.

 

 

 

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최연재 기자 stock@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 빅테크와 AI 시장 주도권 경쟁…“차세대 HBM의 내년 계획도 논의 중”

SK하이닉스, 빅테크와 AI 시장 주도권 경쟁…“차세대 HBM의 내년 계획도 논의 중”

2024.05.30 16:40:20

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 현재 주력하고 있는 AI 메모리 HBM(고대역폭 메모리) 뿐만 아니라 새로운 메모리 솔루션 확보에도 집중하고 있다고 강조했습니다. SK하이닉스는 30일 자사 뉴스룸을 통해 SK하이닉스 신임 임원 좌담회를 최근 열고 SK하이닉스가 앞으로 나아가야 할 방향에 대해 논의했다고 밝혔습니다. AI 메모리가 각광을 받고 있는 현 시점에 대해 김기태 HBM 세일즈&마케팅(S&M) 부사장은 "생성형 AI 기술이 공공 서비스뿐만 아니라 B2C 시장에서 폭넓게 활용되고 있어 메모리의 활용도는 더욱 높아질 것"이라고 말했습니다. 이어서 "현재 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"라며 "이에 맞춰 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중"이라고 덧붙였습니다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 양산하며 견고한 시장 경쟁력을 보이고 있습니다. 여기에 그치지 않고 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기며 업계 위상을 더욱 강화하겠다는 방침입니다. 권언오 HBM PI 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"라며 SK하이닉스의 성장 배경에 대해 설명했습니다. 김기태 부사장 역시 "HBM을 적기에 공급하면서 대규모 양산 경험을 보유한 것도 우리가 높은 신뢰를 받는 이유라고 볼 수 있다"라며 자신감을 내비쳤습니다. 한편, AI 산업이 확장되면서 새로운 메모리 시장이 열리고 있다는 분석도 나왔습니다. 오해순 낸드 어드밴스드 PI 부사장은 "그동안 AI 산업에서 낸드에 대한 주목도가 높지 않았지만 대용량 AI 서버 수요가 늘면서 eSSD와 같은 낸드 솔루션이 각광받기 시작했다"라며 "여러 분야에서 신시장이 열리고 있는 만큼 다양한 메모리 제품들이 주목받고 있는 상황"이라고 말했습니다. 이어서 이재연 글로벌 RTC 부사장은 "차별화된 기술력을 갖추기 위해 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 '이머징 메모리'에 대한 관심도 커지고 있다"며 "특히 기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기 저항 메모리(MRAM), 저항 변화 메모리(RRAM), 상변화 메모리(PCM) 등이 주목받는다"고 전망했습니다. 이와 함께 좌담회에 참석한 SK하이닉스의 임원진은 소재 개발을 통한 품질 강화, AI용 고성능 낸드 기술력 제고, 차세대 메모리 연구개발 등에 대해서도 중요성을 강조했습니다.


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