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인동첨단소재, 절연 그라파이트 방열 소재 증설

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Tuesday, December 13, 2022, 16:12:25

자체 특허기술 4건 도입

 

인더뉴스 양귀남 기자ㅣ인동첨단소재는 자체 특허기술을 도입해 세계 최초로 개발한 2세대 ‘그라파이트 방열소재’의 생산을 위한 증설이 완료됐다고 13일 밝혔다.

 

2세대 그라파이트 방열 소재는 완전 절연이 가능하도록 설계돼 전기 전도로 인해 발생하는 IT 기기에 대한 간섭 효과가 전혀 없다고 회사측은 설명했다. 1세대 그라파이트 방열 소재는 전기 전도성이 있어 이를 차단하기 위한 절연 필름 부착이 필요했지만, 2세대 제품은 절연기능이 뛰어나 별도의 필름 부착 없이도 IT제품 등에 바로 적용 가능하다는 장점이 있다고 덧붙였다.

 

인동첨단소재는 자체 특허기술을 2세대 방열 소재 개발에 적용했다. 적용 특허는 ▲디스플레이 패널용 그라파이트 방열시트의 제조방법 2건 ▲그라파이트 방열시트의 코팅방법 ▲디스플레이 패널용 그라파이트 방열시트의 코팅방법 등 총 4건에 달한다. 해당 특허들은 이미 등록이 완료된 상황이다.

 

인동첨단소재 관계자는 “신규 그라파이트 방열 소재는 방열성능을 저하하는 점착제를 사용하지 않기 때문에 방열기능도 강화됐다”며 “인장력과 완전 절연기능이 추가됐으며, 두께까지 획기적으로 얇아져 글로벌 IT 기업들의 러브콜이 이어지고 있다”고 말했다.

 

이어 그는 “지속적인 기술개발을 통해 IT제품 외에도 높은 수준의 방열 기능이 요구되는 2차전지 배터리 분야에 그라파이트 방열소재의 적용을 확대해 나갈 계획”이라며 “핵심기술인 마이크로 분쇄 기술도 적용 범위를 확대해 2차전지 음극재뿐 아니라 양극재 등 2차전지 소재분야로 사업을 확대해 나갈 것”이라고 덧붙였다.

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양귀남 기자 Earman@inthenews.co.kr

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SK하이닉스, 빅테크와 AI 시장 주도권 경쟁…“차세대 HBM의 내년 계획도 논의 중”

SK하이닉스, 빅테크와 AI 시장 주도권 경쟁…“차세대 HBM의 내년 계획도 논의 중”

2024.05.30 16:40:20

인더뉴스 이종현 기자ㅣSK하이닉스[000660]가 현재 주력하고 있는 AI 메모리 HBM(고대역폭 메모리) 뿐만 아니라 새로운 메모리 솔루션 확보에도 집중하고 있다고 강조했습니다. SK하이닉스는 30일 자사 뉴스룸을 통해 SK하이닉스 신임 임원 좌담회를 최근 열고 SK하이닉스가 앞으로 나아가야 할 방향에 대해 논의했다고 밝혔습니다. AI 메모리가 각광을 받고 있는 현 시점에 대해 김기태 HBM 세일즈&마케팅(S&M) 부사장은 "생성형 AI 기술이 공공 서비스뿐만 아니라 B2C 시장에서 폭넓게 활용되고 있어 메모리의 활용도는 더욱 높아질 것"이라고 말했습니다. 이어서 "현재 시장 상황을 보면 빅테크 고객들이 AI 시장 주도권을 확보하기 위해 신제품 출시 시점을 앞당기고 있다"라며 "이에 맞춰 차세대 HBM 제품 등을 적기에 공급할 수 있도록 올해에 이어 내년까지의 계획을 미리 논의하는 중"이라고 덧붙였습니다. SK하이닉스는 지난 3월부터 HBM 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 양산하며 견고한 시장 경쟁력을 보이고 있습니다. 여기에 그치지 않고 다음 세대 제품인 HBM4의 양산 시점을 내년으로 앞당기며 업계 위상을 더욱 강화하겠다는 방침입니다. 권언오 HBM PI 부사장은 "시장이 열리기 전부터 오랜 시간 동안 끈질기게 이어져 온 AI 메모리에 대한 투자와 연구가 회사 성장의 밑거름이 됐다"라며 SK하이닉스의 성장 배경에 대해 설명했습니다. 김기태 부사장 역시 "HBM을 적기에 공급하면서 대규모 양산 경험을 보유한 것도 우리가 높은 신뢰를 받는 이유라고 볼 수 있다"라며 자신감을 내비쳤습니다. 한편, AI 산업이 확장되면서 새로운 메모리 시장이 열리고 있다는 분석도 나왔습니다. 오해순 낸드 어드밴스드 PI 부사장은 "그동안 AI 산업에서 낸드에 대한 주목도가 높지 않았지만 대용량 AI 서버 수요가 늘면서 eSSD와 같은 낸드 솔루션이 각광받기 시작했다"라며 "여러 분야에서 신시장이 열리고 있는 만큼 다양한 메모리 제품들이 주목받고 있는 상황"이라고 말했습니다. 이어서 이재연 글로벌 RTC 부사장은 "차별화된 기술력을 갖추기 위해 기존 메모리의 한계를 뛰어넘는 '이머징 메모리'에 대한 관심도 커지고 있다"며 "특히 기존 D램의 고속 성능과 낸드의 고용량 특성을 동시에 갖춘 자기 저항 메모리(MRAM), 저항 변화 메모리(RRAM), 상변화 메모리(PCM) 등이 주목받는다"고 전망했습니다. 이와 함께 좌담회에 참석한 SK하이닉스의 임원진은 소재 개발을 통한 품질 강화, AI용 고성능 낸드 기술력 제고, 차세대 메모리 연구개발 등에 대해서도 중요성을 강조했습니다.


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